Substrato SiC tipo P 4H / 6H-P 3C-N 4 polegadas com espessura de 350um Grau de produção Grau fictício

Breve descrição:

O substrato SiC tipo P 4H / 6H-P 3C-N de 4 polegadas, com espessura de 350 μm, é um material semicondutor de alto desempenho amplamente utilizado na fabricação de dispositivos eletrônicos. Conhecido por sua excepcional condutividade térmica, alta tensão de ruptura e resistência a temperaturas extremas e ambientes corrosivos, esse substrato é ideal para aplicações de eletrônica de potência. O substrato de nível de produção é usado na fabricação em larga escala, garantindo rigoroso controle de qualidade e alta confiabilidade em dispositivos eletrônicos avançados. Enquanto isso, o substrato de qualidade simulada é utilizado principalmente para depuração de processos, calibração de equipamentos e prototipagem. As propriedades superiores do SiC tornam-no uma excelente escolha para dispositivos que operam em ambientes de alta temperatura, alta tensão e alta frequência, incluindo dispositivos de energia e sistemas de RF.

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Tabela de parâmetros de substrato SiC de 4 polegadas tipo P 4H / 6H-P 3C-N

4 polegada de diâmetro SilícioSubstrato de carboneto (SiC) Especificação

Nota			Produção Zero MPD Nota (Z Nota)	Produção Padrão Nota (P Nota)	Nota fictícia (D Nota)
Diâmetro			99,5mm~100,0mm
Grossura			350 μm ± 25 μm
Orientação de wafer			Fora do eixo: 2,0°-4,0° em direção a [112(-)0] ± 0,5° para 4H/6H-P, Oeixo n:〈111〉± 0,5° para 3C-N
Densidade do Microtubo			0cm-2
Resistividade	tipo p 4H/6H-P		≤0,1Ωꞏcm		≤0,3Ωꞏcm
	tipo n 3C-N		≤0,8 mΩꞏcm		≤1mΩꞏcm
Orientação Plana Primária		4H/6H-P	- {1010} ± 5,0°
		3C-N	- {110} ± 5,0°
Comprimento plano primário			32,5 mm ± 2,0 mm
Comprimento plano secundário			18,0 mm ± 2,0 mm
Orientação Plana Secundária			Silício voltado para cima: 90° CW. do apartamento Prime±5,0°
Exclusão de borda			3mm		6mm
LTV/TTV/Arco/Urdidura			≤2,5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm		≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
Rugosidade			Ra≤1 nm polonês
			CMP Ra≤0,2nm		Ra≤0,5nm
Rachaduras nas bordas por luz de alta intensidade			Nenhum		Comprimento cumulativo ≤ 10 mm, comprimento único≤2 mm
Placas hexagonais por luz de alta intensidade			Área acumulada ≤0,05%		Área acumulada ≤0,1%
Áreas politípicas por luz de alta intensidade			Nenhum		Área acumulada≤3%
Inclusões visuais de carbono			Área acumulada ≤0,05%		Área acumulada ≤3%
Arranhões na superfície do silicone por luz de alta intensidade			Nenhum		Comprimento cumulativo≤1×diâmetro do wafer
Edge Chips de alta intensidade de luz			Nenhum permitido ≥0,2 mm de largura e profundidade		5 permitidos, ≤1 mm cada
Contaminação de superfície de silício por alta intensidade			Nenhum
Embalagem			Cassete Multi-wafer ou Recipiente Único de Wafer

Notas:

※Os limites de defeitos se aplicam a toda a superfície do wafer, exceto à área de exclusão de borda. # Os arranhões devem ser verificados apenas no rosto do Si.

O substrato SiC tipo P 4H / 6H-P 3C-N de 4 polegadas com espessura de 350 μm é amplamente aplicado na fabricação avançada de dispositivos eletrônicos e de energia. Com excelente condutividade térmica, alta tensão de ruptura e forte resistência a ambientes extremos, esse substrato é ideal para eletrônicos de potência de alto desempenho, como interruptores de alta tensão, inversores e dispositivos de RF. Substratos de nível de produção são usados na fabricação em larga escala, garantindo desempenho confiável e de alta precisão do dispositivo, o que é fundamental para eletrônica de potência e aplicações de alta frequência. Os substratos de grau fictício, por outro lado, são usados principalmente para calibração de processos, testes de equipamentos e desenvolvimento de protótipos, ajudando a manter o controle de qualidade e a consistência do processo na produção de semicondutores.

EspecificaçãoAs vantagens dos substratos compostos de SiC tipo N incluem

Alta condutividade térmica: A dissipação de calor eficiente torna o substrato ideal para aplicações de alta temperatura e alta potência.
Alta tensão de ruptura: Suporta operação de alta tensão, garantindo confiabilidade em eletrônicos de potência e dispositivos de RF.
Resistência a ambientes agressivos: Durável em condições extremas, como altas temperaturas e ambientes corrosivos, garantindo desempenho duradouro.
Precisão de nível de produção: Garante desempenho confiável e de alta qualidade na fabricação em larga escala, adequado para aplicações avançadas de energia e RF.
Grau fictício para teste: permite calibração precisa de processos, testes de equipamentos e prototipagem sem comprometer wafers de nível de produção.

No geral, o substrato SiC tipo P 4H/6H-P 3C-N de 4 polegadas com espessura de 350 μm oferece vantagens significativas para aplicações eletrônicas de alto desempenho. Sua alta condutividade térmica e tensão de ruptura o tornam ideal para ambientes de alta potência e alta temperatura, enquanto sua resistência a condições adversas garante durabilidade e confiabilidade. O substrato de nível de produção garante desempenho preciso e consistente na fabricação em larga escala de eletrônicos de potência e dispositivos de RF. Enquanto isso, o substrato de qualidade simulada é essencial para calibração de processos, testes de equipamentos e prototipagem, apoiando o controle de qualidade e a consistência na produção de semicondutores. Esses recursos tornam os substratos de SiC altamente versáteis para aplicações avançadas.