Substrato de SiC tipo P 4H/6H-P 3C-N 4 polegadas com espessura de 350um Grau de produção Grau fictício
Tabela de parâmetros do substrato SiC de 4 polegadas tipo P 4H/6H-P 3C-N
4 polegada de diâmetro de silícioSubstrato de carboneto (SiC) Especificação
| Nota | Produção MPD Zero Grau (Z Nota) | Produção Padrão Grau (P Nota) | Grau fictício (D Nota) | ||
| Diâmetro | 99,5 mm ~ 100,0 mm | ||||
| Grossura | 350 μm ± 25 μm | ||||
| Orientação de wafer | Fora do eixo: 2,0°-4,0° em direção a [1120] ± 0,5° para 4H/6H-P, OEixo n:〈111〉± 0,5° para 3C-N | ||||
| Densidade do microtubo | 0 cm-2 | ||||
| Resistividade | tipo p 4H/6H-P | ≤0,1 Ωꞏcm | ≤0,3 Ωꞏcm | ||
| 3C-N tipo n | ≤0,8 mΩꞏcm | ≤1 m Ωꞏcm | |||
| Orientação plana primária | 4H/6H-P | - {1010} ± 5,0° | |||
| 3C-N | - {110} ± 5,0° | ||||
| Comprimento plano primário | 32,5 mm ± 2,0 mm | ||||
| Comprimento plano secundário | 18,0 mm ± 2,0 mm | ||||
| Orientação plana secundária | Face de silício para cima: 90° CW. do Prime flat±5,0° | ||||
| Exclusão de Borda | 3 milímetros | 6 milímetros | |||
| LTV/TTV/Arco/Distorção | ≤2,5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm | ≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm | |||
| Rugosidade | Ra polonês≤1 nm | ||||
| CMP Ra≤0,2 nm | Ra≤0,5 nm | ||||
| Fissuras nas bordas causadas por luz de alta intensidade | Nenhum | Comprimento cumulativo ≤ 10 mm, comprimento único ≤ 2 mm | |||
| Placas Hexagonais por Luz de Alta Intensidade | Área cumulativa ≤0,05% | Área cumulativa ≤0,1% | |||
| Áreas de politipia por luz de alta intensidade | Nenhum | Área acumulada≤3% | |||
| Inclusões de Carbono Visual | Área cumulativa ≤0,05% | Área acumulada ≤3% | |||
| Arranhões na superfície do silicone causados por luz de alta intensidade | Nenhum | Comprimento cumulativo ≤1×diâmetro da pastilha | |||
| Chips de borda de alta intensidade de luz | Nenhum permitido ≥0,2 mm de largura e profundidade | 5 permitidos, ≤1 mm cada | |||
| Contaminação da superfície de silício por alta intensidade | Nenhum | ||||
| Embalagem | Cassete multiwafer ou recipiente de wafer único | ||||
Observações:
※Os limites de defeitos se aplicam a toda a superfície do wafer, exceto à área de exclusão da borda. # Os arranhões devem ser verificados somente na face de Si.
O substrato de SiC 4H/6H-P 3C-N tipo P de 4 polegadas com espessura de 350 μm é amplamente utilizado na fabricação de dispositivos eletrônicos e de potência avançados. Com excelente condutividade térmica, alta tensão de ruptura e forte resistência a ambientes extremos, este substrato é ideal para eletrônica de potência de alto desempenho, como interruptores de alta tensão, inversores e dispositivos de RF. Substratos de nível de produção são utilizados na fabricação em larga escala, garantindo desempenho confiável e de alta precisão dos dispositivos, o que é crucial para eletrônica de potência e aplicações de alta frequência. Substratos de nível fictício, por outro lado, são utilizados principalmente para calibração de processos, testes de equipamentos e desenvolvimento de protótipos, ajudando a manter o controle de qualidade e a consistência do processo na produção de semicondutores.
EspecificaçãoAs vantagens dos substratos compostos de SiC do tipo N incluem
- Alta condutividade térmica: A dissipação de calor eficiente torna o substrato ideal para aplicações de alta temperatura e alta potência.
- Alta Tensão de Ruptura: Suporta operação de alta tensão, garantindo confiabilidade em eletrônica de potência e dispositivos de RF.
- Resistência a ambientes adversos: Durável em condições extremas, como altas temperaturas e ambientes corrosivos, garantindo desempenho duradouro.
- Precisão de nível de produção: Garante desempenho confiável e de alta qualidade na fabricação em larga escala, adequado para aplicações avançadas de energia e RF.
- Nível fictício para teste: Permite calibração precisa de processos, testes de equipamentos e prototipagem sem comprometer wafers de nível de produção.
No geral, o substrato de SiC 4H/6H-P 3C-N de 4 polegadas tipo P, com espessura de 350 μm, oferece vantagens significativas para aplicações eletrônicas de alto desempenho. Sua alta condutividade térmica e tensão de ruptura o tornam ideal para ambientes de alta potência e alta temperatura, enquanto sua resistência a condições adversas garante durabilidade e confiabilidade. O substrato de nível de produção garante desempenho preciso e consistente na fabricação em larga escala de eletrônica de potência e dispositivos de RF. Já o substrato de nível fictício é essencial para calibração de processos, testes de equipamentos e prototipagem, auxiliando no controle de qualidade e na consistência na produção de semicondutores. Essas características tornam os substratos de SiC altamente versáteis para aplicações avançadas.
Diagrama Detalhado
