Tipo alto polimento da bolacha 4H-N do carboneto de silicone da carcaça da resistência de corrosão da dureza da categoria principal

Breve descrição:

Os wafers de carboneto de silício são um material de alto desempenho usado na produção de dispositivos eletrônicos. É feito de uma camada de carboneto de silício em uma cúpula de cristal de silício e está disponível em diferentes graus, tipos e acabamentos superficiais. Os wafers possuem planicidade Lambda/10, o que garante a mais alta qualidade e desempenho para dispositivos eletrônicos feitos de wafers. Os wafers de carboneto de silício são ideais para uso em eletrônica de potência, tecnologia LED e sensores avançados. Fornecemos wafers de carboneto de silício (sic) de alta qualidade para as indústrias eletrônica e fotônica.


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A seguir estão as características do wafer de carboneto de silício

1. Maior condutividade térmica: A condutividade térmica dos wafers SIC é muito maior do que a do silício, o que significa que os wafers SIC podem dissipar efetivamente o calor e são adequados para operação em ambientes de alta temperatura.
2. Maior mobilidade de elétrons: Os wafers SIC têm maior mobilidade de elétrons do que o silício, permitindo que os dispositivos SIC operem em velocidades mais altas.
3. Maior tensão de ruptura: o material do wafer SIC tem uma tensão de ruptura mais alta, tornando-o adequado para a fabricação de dispositivos semicondutores de alta tensão.
4. Maior estabilidade química: os wafers SIC têm maior resistência à corrosão química, o que ajuda a melhorar a confiabilidade e durabilidade do dispositivo.
5. Gap de banda mais amplo: os wafers SIC têm um gap de banda mais amplo do que o silício, tornando os dispositivos SIC melhores e mais estáveis ​​em altas temperaturas.

O wafer de carboneto de silício tem diversas aplicações

1. Campo mecânico: ferramentas de corte e materiais de retificação; Peças e buchas resistentes ao desgaste; Válvulas e vedações industriais; Rolamentos e esferas
2. Campo de potência eletrônico: dispositivos semicondutores de potência; Elemento de micro-ondas de alta frequência; Eletrônica de potência de alta tensão e alta temperatura; Material de gerenciamento térmico
3.Indústria química: reator químico e equipamentos; Tubulações e tanques de armazenamento resistentes à corrosão; Suporte de catalisador químico
4. Setor energético: componentes de turbinas a gás e turbocompressores; Núcleo de energia nuclear e componentes estruturais componentes de células de combustível de alta temperatura
5.Aeroespacial: sistemas de proteção térmica para mísseis e veículos espaciais; Lâminas de turbinas de motores a jato; Composto avançado
6.Outras áreas: Sensores de alta temperatura e termopilhas; Matrizes e ferramentas para processo de sinterização; Campos de lixamento, polimento e corte
ZMKJ pode fornecer wafer SiC de cristal único de alta qualidade (carboneto de silício) para a indústria eletrônica e optoeletrônica. O wafer de SiC é um material semicondutor de próxima geração, com propriedades elétricas exclusivas e excelentes propriedades térmicas, em comparação com o wafer de silício e o wafer de GaAs, o wafer de SiC é mais adequado para aplicações em dispositivos de alta temperatura e alta potência. O wafer de SiC pode ser fornecido com diâmetro de 2 a 6 polegadas, tanto 4H quanto 6H SiC, tipo N, dopado com nitrogênio e tipo semi-isolante disponível. Entre em contato conosco para obter mais informações sobre o produto.
Nossa fábrica possui equipamentos de produção avançados e equipe técnica, que pode personalizar diversas especificações, espessuras e formatos de wafer SiC de acordo com os requisitos específicos dos clientes.

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