SiC
-
Substrato de carboneto de silício Sic de 2 polegadas Tipo 6H-N 0,33 mm 0,43 mm Polimento de dupla face Alta condutividade térmica Baixo consumo de energia
-
Substrato de SiC de 3 polegadas, espessura de 350 µm, tipo HPSI, grau primário, grau fictício
-
Lingote de carboneto de silício SiC de 6 polegadas tipo N, espessura de grau fictício/primeiro, pode ser personalizado
-
Lingote semi-isolante de carboneto de silício 4H-SiC de 6 pol., grau fictício
-
Lingote de SiC tipo 4H Diâmetro 4 polegadas 6 polegadas Espessura 5-10 mm Pesquisa / Grau fictício
-
Substrato de Sic, wafer de carboneto de silício, tipo 4H-N, alta dureza, resistência à corrosão, polimento de primeira qualidade
-
Wafer de carboneto de silício de 2 polegadas, tipo 6H-N, grau primário, grau de pesquisa, grau fictício, espessura de 330 μm e 430 μm
-
Substrato de carboneto de silício de 2 polegadas 6H-N polido de dupla face com diâmetro de 50,8 mm, grau de produção e grau de pesquisa
-
Substratos compostos de SiC tipo N com diâmetro de 6 polegadas. Substrato monocristalino de alta qualidade e substrato de baixa qualidade.
-
Substratos compostos de SiC semi-isolantes Dia2 polegadas 4 polegadas 6 polegadas 8 polegadas HPSI
-
Substratos compostos de SiC tipo N sobre Si com diâmetro de 6 polegadas
-
Substrato de SiC Dia200mm 4H-N e HPSI Carboneto de silício