SiC
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Wafer de SiC 4H-N HPSI, wafer epitaxial de SiC 6H-N 6H-P 3C-N para MOS ou SBD
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Wafer epitaxial de SiC para dispositivos de potência – 4H-SiC, tipo N, baixa densidade de defeitos
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Wafer epitaxial de SiC tipo 4H-N para alta tensão e alta frequência.
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Wafer de carbeto de silício de alta pureza (não dopado) de 3 polegadas com substratos de SiC semi-isolantes (HPSI)
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Substrato de SiC 4H-N de 8 polegadas, grau de pesquisa, 500 µm de espessura.
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Substrato de carbeto de silício 4H-N/6H-N para pesquisa e produção, grau fictício, diâmetro 150 mm.
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Wafer revestido com ouro, wafer de safira, wafer de silício, wafer de SiC, 2 polegadas, 4 polegadas, 6 polegadas, espessura de revestimento de ouro: 10 nm, 50 nm, 100 nm
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Wafer SiC 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C tipo 2 polegadas 3 polegadas 4 polegadas 6 polegadas 8 polegadas
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Substrato de carbeto de silício SiC de 2 polegadas, tipo 6H-N, polimento de dupla face de 0,33 mm e 0,43 mm. Alta condutividade térmica e baixo consumo de energia.
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Substrato de SiC de 3 polegadas com 350 µm de espessura, tipo HPSI, grau Prime, grau Dummy.
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Lingote de carboneto de silício (SiC) de 6 polegadas, tipo N, espessura personalizável (grau padrão/primário).
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Lingote semi-isolante de carboneto de silício 4H-SiC de 6 polegadas, grau fictício.