Pá cantilever de carboneto de silício (pá cantilever de SiC)

Pá em balanço de carboneto de silício (Pá em balanço de SiC) Imagem em destaque

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Características

Diagrama detalhado

Visão geral do produto

A pá cantilever de carbeto de silício, fabricada a partir de carbeto de silício ligado por reação de alto desempenho (RBSiC), é um componente crítico usado em sistemas de carregamento e manuseio de wafers para aplicações em semicondutores e fotovoltaicas.
Em comparação com as pás tradicionais de quartzo ou grafite, as pás cantilever de SiC oferecem resistência mecânica superior, alta dureza, baixa expansão térmica e excelente resistência à corrosão. Elas mantêm excelente estabilidade estrutural sob altas temperaturas, atendendo aos rigorosos requisitos de grandes dimensões de wafers, vida útil prolongada e baixíssima contaminação.

Com o desenvolvimento contínuo dos processos de semicondutores em direção a diâmetros de wafer maiores, maior produtividade e ambientes de processamento mais limpos, as pás de SiC em forma de cantilever substituíram gradualmente os materiais convencionais, tornando-se a escolha preferida para fornos de difusão, LPCVD e equipamentos de alta temperatura relacionados.

Características do produto

Excelente estabilidade em altas temperaturas
- Opera de forma confiável a temperaturas de 1000–1300℃ sem deformação.
- Temperatura máxima de serviço até 1380℃.
Alta capacidade de carga
- Resistência à flexão de até 250–280 MPa, muito superior à das pás de quartzo.
- Capaz de processar wafers de grande diâmetro (300 mm ou mais).
Vida útil prolongada e baixa manutenção
- Baixo coeficiente de expansão térmica (4,5 × 10⁻⁶ K⁻¹), compatível com materiais de revestimento LPCVD.
- Reduz rachaduras e descamação causadas por tensão, prolongando significativamente os ciclos de limpeza e manutenção.
Resistência à corrosão e pureza
- Excelente resistência a ácidos e álcalis.
- Microestrutura densa com porosidade aberta <0,1%, minimizando a geração de partículas e a liberação de impurezas.
Design compatível com automação
- Geometria transversal estável com alta precisão dimensional.
- Integra-se perfeitamente com sistemas robóticos de carregamento e descarregamento de wafers, permitindo uma produção totalmente automatizada.

Propriedades Físicas e Químicas

Item	Unidade	Dados
Temperatura máxima de serviço	℃	1380
Densidade	g/cm³	3,04 – 3,08
Porosidade aberta	%	< 0,1
Força de flexão	MPa	250 (20℃), 280 (1200℃)
Módulo de Elasticidade	GPa	330 (20℃), 300 (1200℃)
Condutividade térmica	W/m·K	45 (1200℃)
Coeficiente de Expansão Térmica	K⁻¹×10⁻⁶	4,5
Dureza Vickers	HV2	≥ 2100
Resistência a ácidos/bases	-	Excelente

Comprimentos padrão:2378 mm, 2550 mm, 2660 mm
Dimensões personalizadas disponíveis mediante solicitação.

Aplicações

Indústria de semicondutores
- LPCVD (Deposição Química de Vapor a Baixa Pressão)
- Processos de difusão (fósforo, boro, etc.)
- oxidação térmica
Indústria fotovoltaica
- Difusão e revestimento de wafers de polisilício e monocristalinos
- Recozimento e passivação em alta temperatura
Outras áreas
- Ambientes corrosivos de alta temperatura
- Sistemas de manuseio de wafers de precisão que exigem longa vida útil e baixa contaminação.

Benefícios para o cliente

Redução dos custos operacionais– Maior vida útil em comparação com as pás de quartzo, minimizando o tempo de inatividade e a frequência de substituição.
Maior rendimento– A contaminação extremamente baixa garante a limpeza da superfície do wafer e reduz as taxas de defeitos.
À prova do futuro– Compatível com wafers de grandes dimensões e processos semicondutores de última geração.
Produtividade aprimorada– Totalmente compatível com sistemas de automação robótica, suportando a produção em larga escala.

Perguntas frequentes – Pá cantilever de carboneto de silício

Q1: O que é uma pá cantilever de carboneto de silício?
A: Trata-se de um componente de suporte e manuseio de wafers feito de carbeto de silício ligado por reação (RBSiC). É amplamente utilizado em fornos de difusão, LPCVD e outros processos de semicondutores e fotovoltaicos de alta temperatura.

P2: Por que escolher pás de SiC em vez de pás de quartzo?
A: Em comparação com pás de quartzo, as pás de SiC oferecem:

Maior resistência mecânica e capacidade de carga
Melhor estabilidade térmica em temperaturas de até 1380°C
Vida útil muito mais longa e ciclos de manutenção reduzidos.
Menor geração de partículas e risco de contaminação
Compatibilidade com tamanhos de wafer maiores (300 mm e acima)

Q3: Quais os tamanhos de wafer que a pá cantilever de SiC suporta?
A: As pás padrão estão disponíveis para sistemas de forno de 2378 mm, 2550 mm e 2660 mm. Dimensões personalizadas estão disponíveis para suportar wafers de até 300 mm e maiores.

Sobre nós

A XKH é especializada no desenvolvimento, produção e venda de alta tecnologia de vidros ópticos especiais e novos materiais cristalinos. Nossos produtos atendem aos setores de eletrônica óptica, eletrônicos de consumo e militar. Oferecemos componentes ópticos de safira, lentes para celulares, cerâmica, LT (tecido de baixa temperatura), carbeto de silício (SiC), quartzo e wafers de cristal semicondutor. Com expertise qualificada e equipamentos de ponta, nos destacamos no processamento de produtos não padronizados, com o objetivo de nos tornarmos uma empresa líder em alta tecnologia de materiais optoeletrônicos.