Placa de fixação de cerâmica de carboneto de silício para wafer de SiC, safira e GAAs.

Descrição resumida:

O mandril de cerâmica de carboneto de silício é uma plataforma de alto desempenho projetada para inspeção de semicondutores, fabricação de wafers e aplicações de colagem. Construído com materiais cerâmicos avançados — incluindo SiC sinterizado (SSiC), SiC ligado por reação (RSiC), nitreto de silício e nitreto de alumínio — oferece alta rigidez, baixa expansão térmica, excelente resistência ao desgaste e longa vida útil.

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Características

Diagrama detalhado

Visão geral do mandril cerâmico de carboneto de silício (SiC)

OMandril de cerâmica de carboneto de silícioÉ uma plataforma de alto desempenho projetada para inspeção de semicondutores, fabricação de wafers e aplicações de colagem. Construída com materiais cerâmicos avançados, incluindoSiC sinterizado (SSiC), SiC ligado por reação (RSiC), nitreto de silício, enitreto de alumínio—ofereceAlta rigidez, baixa expansão térmica, excelente resistência ao desgaste e longa vida útil..

Com engenharia de precisão e polimento de última geração, o mandril oferecePlanicidade submicrométrica, superfícies com qualidade de espelho e estabilidade dimensional a longo prazo., tornando-a a solução ideal para processos críticos de semicondutores.

Principais vantagens

Alta precisão
Planicidade controlada dentro0,3–0,5 μm, garantindo a estabilidade do wafer e a precisão consistente do processo.
Polimento de espelho
ConquistaRa 0,02 μmRugosidade da superfície, minimizando arranhões e contaminação do wafer — perfeito para ambientes ultralimpos.
Ultraleve
Mais resistente e mais leve que substratos de quartzo ou metal, melhorando o controle de movimento, a capacidade de resposta e a precisão de posicionamento.
Alta rigidez
O módulo de Young excepcional garante estabilidade dimensional sob cargas pesadas e operação em alta velocidade.
Baixa expansão térmica
O coeficiente de expansão térmica (CTE) é bastante semelhante ao das pastilhas de silício, reduzindo o estresse térmico e aumentando a confiabilidade do processo.
Excelente resistência ao desgaste
A dureza extrema preserva a planicidade e a precisão mesmo sob uso prolongado e de alta frequência.

Processo de fabricação

Preparação da matéria-prima
Pós de SiC de alta pureza com tamanho de partícula controlado e baixíssimo teor de impurezas.
Formação e Sinterização
Técnicas comosinterização sem pressão (SSiC) or ligação reativa (RSiC)Produzir substratos cerâmicos densos e uniformes.
Usinagem de Precisão
A retificação CNC, o corte a laser e a usinagem de ultraprecisão alcançam uma tolerância de ±0,01 mm e um paralelismo de ≤3 μm.
Tratamento de superfície
Retificação e polimento em múltiplos estágios até Ra 0,02 μm; revestimentos opcionais disponíveis para resistência à corrosão ou propriedades de fricção personalizadas.
Inspeção e Controle de Qualidade
Interferômetros e medidores de rugosidade verificam a conformidade com as especificações de grau semicondutor.

Especificações técnicas

Parâmetro	Valor	Unidade
Planicidade	≤0,5	μm
Tamanhos de wafer	6'', 8'', 12'' (sob encomenda disponível)	—
Tipo de superfície	Tipo pino / Tipo anel	—
Altura do pino	0,05–0,2	mm
Diâmetro mínimo do pino	ϕ0,2	mm
Espaçamento mínimo entre pinos	3	mm
Largura mínima do anel de vedação	0,7	mm
rugosidade da superfície	Ra 0,02	μm
Tolerância de espessura	±0,01	mm
Tolerância de diâmetro	±0,01	mm
Tolerância ao paralelismo	≤3	μm

Principais aplicações

Equipamentos para inspeção de wafers semicondutores
Sistemas de fabricação e transferência de wafers
Ferramentas para colagem e embalagem de wafers
Fabricação avançada de dispositivos optoeletrônicos
Instrumentos de precisão que exigem superfícies ultraplanas e ultralimpas

Perguntas e Respostas – Mandril de Cerâmica de Carboneto de Silício

P1: Como os mandris de cerâmica de SiC se comparam aos mandris de quartzo ou de metal?
A1: Os mandris de SiC são mais leves, mais rígidos e possuem um coeficiente de expansão térmica (CTE) próximo ao dos wafers de silício, minimizando a deformação térmica. Eles também oferecem resistência superior ao desgaste e maior vida útil.

Q2: Que nível de planicidade pode ser alcançado?
A2: Controlado dentro0,3–0,5 μm, atendendo às exigências rigorosas da produção de semicondutores.

Q3: A superfície irá riscar os wafers?
A3: Não—polido como um espelho.Ra 0,02 μm, garantindo um manuseio sem riscos e reduzindo a geração de partículas.

Q4: Quais tamanhos de wafer são suportados?
A4: Tamanhos padrão de6'', 8'' e 12'', com opções de personalização disponíveis.

Q5: Como é a resistência térmica?
A5: As cerâmicas de SiC proporcionam excelente desempenho em altas temperaturas com deformação mínima sob ciclos térmicos.

Sobre nós

A XKH é especializada no desenvolvimento, produção e venda de alta tecnologia de vidros ópticos especiais e novos materiais cristalinos. Nossos produtos atendem aos setores de eletrônica óptica, eletrônicos de consumo e militar. Oferecemos componentes ópticos de safira, lentes para celulares, cerâmica, LT (tecido de baixa temperatura), carbeto de silício (SiC), quartzo e wafers de cristal semicondutor. Com expertise qualificada e equipamentos de ponta, nos destacamos no processamento de produtos não padronizados, com o objetivo de nos tornarmos uma empresa líder em alta tecnologia de materiais optoeletrônicos.