Máquina de corte com fio diamantado de carbeto de silício para processamento de lingotes de SiC de 4/6/8/12 polegadas

Descrição resumida:

A máquina de corte de fio diamantado para carbeto de silício é um equipamento de processamento de alta precisão dedicado ao corte de lingotes de carbeto de silício (SiC). Utilizando a tecnologia de serra de fio diamantado, o equipamento corta o lingote de SiC em múltiplos fios através de um fio diamantado em alta velocidade (diâmetro da linha de 0,1 a 0,3 mm), obtendo-se assim uma preparação de wafers de alta precisão e com baixo dano. Amplamente utilizado no processamento de substratos para semicondutores de potência de SiC (MOSFET/SBD), dispositivos de radiofrequência (GaN-on-SiC) e dispositivos optoeletrônicos, o SiC é um equipamento fundamental na cadeia produtiva do SiC.

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Características

Princípio de funcionamento:

1. Fixação do lingote: O lingote de SiC (4H/6H-SiC) é fixado na plataforma de corte através do dispositivo de fixação para garantir a precisão de posicionamento (±0,02 mm).

2. Movimento da linha de diamante: a linha de diamante (partículas de diamante eletrodepositadas na superfície) é acionada pelo sistema de roda guia para circulação em alta velocidade (velocidade da linha de 10 a 30 m/s).

3. Alimentação por corte: o lingote é alimentado ao longo da direção definida, e a linha de diamante é cortada simultaneamente com várias linhas paralelas (100 a 500 linhas) para formar vários wafers.

4. Resfriamento e remoção de cavacos: Pulverize fluido refrigerante (água deionizada + aditivos) na área de corte para reduzir os danos causados pelo calor e remover os cavacos.

Parâmetros principais:

1. Velocidade de corte: 0,2~1,0 mm/min (dependendo da direção do cristal e da espessura do SiC).

2. Tensão da linha: 20~50N (muito alta pode romper a linha facilmente, muito baixa afeta a precisão do corte).

3. Espessura do wafer: padrão de 350 a 500 μm, podendo chegar a 100 μm.

Principais características:

(1) Precisão de corte
Tolerância de espessura: ±5μm (em wafers de 350μm), melhor do que o corte convencional com argamassa (±20μm).

Rugosidade da superfície: Ra<0,5μm (não é necessário retificar adicionalmente para reduzir a quantidade de processamento subsequente).

Empenamento: <10μm (reduz a dificuldade do polimento subsequente).

(2) Eficiência de processamento
Corte em múltiplas linhas: corte de 100 a 500 peças por vez, aumentando a capacidade de produção de 3 a 5 vezes (em comparação com o corte em linha única).

Vida útil da linha: A linha de diamante pode cortar de 100 a 300 km de SiC (dependendo da dureza do lingote e da otimização do processo).

(3) Processamento de baixo dano
Quebra de borda: <15μm (corte tradicional >50μm), melhorando o rendimento do wafer.

Camada de dano subsuperficial: <5μm (reduzir a remoção por polimento).

(4) Proteção ambiental e economia
Sem contaminação da argamassa: Redução dos custos de descarte de resíduos líquidos em comparação com o corte de argamassa.

Utilização de material: Perda de corte <100μm/fresa, economizando matéria-prima de SiC.

Efeito de corte:

1. Qualidade do wafer: sem fissuras macroscópicas na superfície, poucos defeitos microscópicos (extensão de deslocamento controlável). Pode entrar diretamente na etapa de polimento grosseiro, encurtando o fluxo do processo.

2. Consistência: o desvio de espessura do wafer no lote é <±3%, adequado para produção automatizada.

3. Aplicabilidade: Suporta o corte de lingotes de SiC 4H/6H, compatível com tipos condutivos/semi-isolantes.

Especificações técnicas:

Especificação	Detalhes
Dimensões (C × L × A)	2500x2300x2500 ou personalize
Faixa de tamanho do material processado	4, 6, 8, 10, 12 polegadas de carboneto de silício
rugosidade da superfície	Ra≤0,3u
Velocidade média de corte	0,3 mm/min
Peso	5,5 toneladas
Etapas de configuração do processo de corte	≤30 passos
Ruído do equipamento	≤80 dB
tensão do fio de aço	0~110N (0,25 tensão do fio é 45N)
Velocidade do fio de aço	0~30m/S
Potência total	50 kW
diâmetro do fio de diamante	≥0,18 mm
planicidade final	≤0,05 mm
Taxa de corte e quebra	≤1% (exceto por razões humanas, material de silício, linha, manutenção e outros motivos)

Serviços XKH:

A XKH oferece um serviço completo para máquinas de corte de fio diamantado de carbeto de silício, incluindo seleção de equipamentos (compatibilidade de diâmetro e velocidade do fio), desenvolvimento de processos (otimização de parâmetros de corte), fornecimento de consumíveis (fio diamantado, roda guia) e suporte pós-venda (manutenção de equipamentos, análise da qualidade do corte), para ajudar os clientes a alcançarem alta produtividade (>95%) e baixo custo na produção em massa de wafers de SiC. A empresa também oferece atualizações personalizadas (como corte ultrafino, carregamento e descarregamento automatizados) com prazo de entrega de 4 a 8 semanas.