Máquina de corte de fio diamantado de carboneto de silício 4/6/8/12 polegadas processamento de lingotes de SiC

Máquina de corte de fio diamantado de carboneto de silício, processamento de lingotes de SiC de 4/6/8/12 polegadas Imagem em destaque

Descrição curta:

A máquina de corte de fio diamantado de carboneto de silício é um equipamento de processamento de alta precisão dedicado ao corte de lingotes de carboneto de silício (SiC). Utilizando a tecnologia de serra de fio diamantado, através de fio diamantado de alta velocidade (diâmetro da linha de 0,1 a 0,3 mm) até o corte multifio do lingote de SiC, obtém-se uma preparação de wafers de alta precisão e baixo dano. O equipamento é amplamente utilizado no processamento de substratos de semicondutores de potência de SiC (MOSFET/SBD), dispositivos de radiofrequência (GaN-on-SiC) e dispositivos optoeletrônicos, sendo um equipamento essencial na cadeia da indústria de SiC.

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Detalhes do produto

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Princípio de funcionamento:

1. Fixação do lingote: o lingote de SiC (4H/6H-SiC) é fixado na plataforma de corte por meio do dispositivo para garantir a precisão da posição (±0,02 mm).

2. Movimento da linha de diamante: a linha de diamante (partículas de diamante galvanizadas na superfície) é acionada pelo sistema de roda guia para circulação de alta velocidade (velocidade da linha 10~30m/s).

3. Alimentação de corte: o lingote é alimentado ao longo da direção definida, e a linha de diamante é cortada simultaneamente com várias linhas paralelas (100 a 500 linhas) para formar vários wafers.

4. Resfriamento e remoção de cavacos: borrife refrigerante (água deionizada + aditivos) na área de corte para reduzir danos causados pelo calor e remover cavacos.

Parâmetros principais:

1. Velocidade de corte: 0,2~1,0 mm/min (dependendo da direção do cristal e da espessura do SiC).

2. Tensão da linha: 20~50N (muito alta pode quebrar a linha facilmente, muito baixa pode afetar a precisão do corte).

3. Espessura do wafer: padrão 350~500μm, o wafer pode atingir 100μm.

Principais características:

(1) Precisão de corte
Tolerância de espessura: ±5μm (@350μm wafer), melhor que o corte de argamassa convencional (±20μm).

Rugosidade da superfície: Ra<0,5μm (não é necessária retificação adicional para reduzir a quantidade de processamento subsequente).

Empenamento: <10μm (reduz a dificuldade do polimento subsequente).

(2) Eficiência de processamento
Corte multilinha: corte de 100 a 500 peças por vez, aumentando a capacidade de produção de 3 a 5 vezes (em comparação ao corte de linha única).

Vida útil da linha: A linha de diamante pode cortar 100~300 km de SiC (dependendo da dureza do lingote e da otimização do processo).

(3) Processamento de baixo dano
Quebra de borda: <15μm (corte tradicional >50μm), melhora o rendimento do wafer.

Camada de dano subsuperficial: <5μm (reduz a remoção do polimento).

(4) Proteção ambiental e economia
Sem contaminação da argamassa: custos reduzidos de descarte de líquidos residuais em comparação ao corte com argamassa.

Utilização do material: Perda de corte <100μm/fresa, economizando matéria-prima de SiC.

Efeito de corte:

1. Qualidade do wafer: sem rachaduras macroscópicas na superfície, poucos defeitos microscópicos (extensão de deslocamento controlável). Pode entrar diretamente no elo de polimento bruto, encurtando o fluxo do processo.

2. Consistência: o desvio de espessura do wafer no lote é <±3%, adequado para produção automatizada.

3. Aplicabilidade: Suporta corte de lingotes 4H/6H-SiC, compatível com tipo condutivo/semi-isolado.

Especificação técnica:

Especificação	Detalhes
Dimensões (C × L × A)	2500x2300x2500 ou personalize
Faixa de tamanho do material de processamento	4, 6, 8, 10, 12 polegadas de carboneto de silício
Rugosidade da superfície	Ra≤0,3u
Velocidade média de corte	0,3 mm/min
Peso	5,5t
Etapas de configuração do processo de corte	≤30 passos
Ruído do equipamento	≤80 dB
Tensão do fio de aço	0~110N (tensão do fio de 0,25 é 45N)
Velocidade do fio de aço	0~30m/s
Potência total	50 kW
Diâmetro do fio diamantado	≥0,18 mm
Planicidade final	≤0,05 mm
Taxa de corte e quebra	≤1% (exceto por razões humanas, material de silicone, linha, manutenção e outros motivos)

Serviços XKH:

A XKH fornece todo o serviço de processo para máquinas de corte de fio diamantado de carboneto de silício, incluindo seleção de equipamentos (compatibilidade entre diâmetro e velocidade do fio), desenvolvimento de processos (otimização dos parâmetros de corte), fornecimento de consumíveis (fio diamantado, roda guia) e suporte pós-venda (manutenção do equipamento, análise da qualidade do corte), para auxiliar os clientes a alcançar alto rendimento (>95%) e baixo custo na produção em massa de wafers de SiC. Também oferece atualizações personalizadas (como corte ultrafino, carregamento e descarregamento automatizados) com prazo de entrega de 4 a 8 semanas.