Garfo/braço de cerâmica de carboneto de silício (SiC) para sistemas de manuseio crítico
Diagrama detalhado
Introdução ao braço/mão de garfo em cerâmica de carboneto de silício
OGarfo/Braço de Cerâmica de Carboneto de Silícioé um componente de ponta desenvolvido para automação industrial avançada, processamento de semicondutores e ambientes ultralimpos. Sua arquitetura bifurcada distinta e superfície cerâmica ultraplana o tornam ideal para o manuseio de substratos delicados, incluindo wafers de silício, painéis de vidro e dispositivos ópticos. Projetado com precisão e fabricado em carbeto de silício ultrapuro, oGarfo/Braço de Cerâmica de Carboneto de SilícioOferece resistência mecânica, confiabilidade térmica e controle de contaminação incomparáveis.
Ao contrário dos braços convencionais de metal ou plástico, oGarfo/Braço de Cerâmica de Carboneto de SilícioOferece desempenho estável em condições térmicas, químicas e de vácuo extremas. Seja operando em uma sala limpa Classe 1 ou em uma câmara de plasma de alto vácuo, este componente garante o transporte seguro, eficiente e sem resíduos de peças valiosas.
Com uma estrutura projetada especificamente para braços robóticos, manipuladores de wafers e ferramentas de transferência automatizadas, oGarfo/Braço de Cerâmica de Carboneto de SilícioÉ uma atualização inteligente para qualquer sistema de alta precisão.
Processo de fabricação do braço/mão de garfo de cerâmica de carboneto de silício
Criando um produto de alto desempenhoGarfo/Braço de Cerâmica de Carboneto de SilícioEnvolve um fluxo de trabalho de engenharia cerâmica rigorosamente controlado que garante repetibilidade, confiabilidade e taxas de defeito ultrabaixas.
1. Engenharia de Materiais
Somente pó de carbeto de silício de altíssima pureza é usado na fabricação doGarfo/Braço de Cerâmica de Carboneto de Silício, garantindo baixa contaminação iônica e alta resistência mecânica. Os pós são misturados com precisão com aditivos de sinterização e aglutinantes para alcançar a densificação ideal.
2. Formando a estrutura de base
A geometria básica dobraço/mão em forma de garfoÉ fabricado utilizando prensagem isostática a frio ou moldagem por injeção, o que garante alta densidade inicial e distribuição uniforme de tensões. A configuração em forma de U é otimizada para a relação rigidez/peso e resposta dinâmica.
3. Processo de sinterização
O corpo verde doGarfo/Braço de Cerâmica de Carboneto de SilícioÉ sinterizado em um forno de gás inerte de alta temperatura a mais de 2000 °C. Esta etapa garante uma densidade próxima da teórica, produzindo um componente que resiste a rachaduras, deformações e desvios dimensionais sob cargas térmicas reais.
4. Retificação e usinagem de precisão
Ferramentas diamantadas CNC avançadas são usadas para moldar as dimensões finais doGarfo/Braço de Cerâmica de Carboneto de SilícioTolerâncias rigorosas (±0,01 mm) e acabamento superficial espelhado reduzem a liberação de partículas e o estresse mecânico.
5. Condicionamento e limpeza de superfícies
O acabamento final da superfície inclui polimento químico e limpeza ultrassônica para preparar obraço/mão em forma de garfoPara integração direta em sistemas ultralimpos. Revestimentos opcionais (CVD-SiC, camadas antirreflexo) também estão disponíveis.
Este processo meticuloso garante que cadaGarfo/Braço de Cerâmica de Carboneto de SilícioAtende aos mais rigorosos padrões industriais, incluindo os requisitos de salas limpas SEMI e ISO.
Parâmetros do braço/mão da forquilha de cerâmica de carboneto de silício
| Item | Condições de teste | Dados | Unidade |
| Teor de carboneto de silício | / | >99,5 | % |
| Tamanho médio do grão | / | 4-10 | mícron |
| Densidade | / | >3,14 | g/cm3 |
| Porosidade aparente | / | <0,5 | Volume % |
| Dureza Vickers | HV0,5 | 2800 | Kg/mm2 |
| Módulo de Ruptura (3 Pontos) | Dimensões da barra de teste: 3 x 4 x 40 mm | 450 | MPa |
| Resistência à compressão | 20°C | 3900 | MPa |
| Módulo de Elasticidade | 20°C | 420 | GPa |
| Tenacidade à fratura | / | 3,5 | MPa/m1/2 |
| Condutividade térmica | 20°C | 160 | W/(mK) |
| Resistividade elétrica | 20°C | 106-108 | Ωcm |
| Coeficiente de Expansão Térmica | 20°C-800°C | 4.3 | K-110-6 |
| Temperatura máxima de aplicação | Atmosfera de óxido | 1600 | °C |
| Temperatura máxima de aplicação | Atmosfera inerte | 1950 | °C |
Aplicações de garfos/mãos de cerâmica de carboneto de silício
OGarfo/Braço de Cerâmica de Carboneto de SilícioÉ projetado para uso em aplicações de alta precisão, alto risco e sensíveis à contaminação. Permite o manuseio, a transferência ou o suporte confiáveis de componentes críticos sem qualquer comprometimento.
➤ Indústria de semicondutores
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Utilizado como garfo robótico em estações de transferência de wafers front-end e FOUP.
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Integrado em câmaras de vácuo para processos de gravação a plasma e PVD/CVD.
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Funciona como braço de suporte em ferramentas de metrologia e alinhamento de wafers.
OGarfo/Braço de Cerâmica de Carboneto de SilícioElimina os riscos de descarga eletrostática (ESD), suporta precisão dimensional e resiste à corrosão por plasma.
➤ Fotônica e Óptica
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Suporta lentes delicadas, cristais laser e sensores durante a fabricação ou inspeção.
Sua elevada rigidez impede a vibração, enquanto o corpo cerâmico resiste à contaminação das superfícies ópticas.
➤ Produção de Displays e Painéis
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Manipula vidros finos, módulos OLED e substratos de LCD durante o transporte ou inspeção.
A superfície plana e quimicamente inerteGarfo/Braço de Cerâmica de Carboneto de SilícioProtege contra arranhões e corrosão química.
➤ Instrumentos aeroespaciais e científicos
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Utilizado na montagem de sistemas ópticos de satélite, robótica a vácuo e configurações de linhas de luz de síncrotron.
Apresenta desempenho impecável em salas limpas de nível espacial e ambientes com risco de radiação.
Em cada campo, oGarfo/Braço de Cerâmica de Carboneto de SilícioAumenta a eficiência do sistema, reduz as falhas de componentes e minimiza o tempo de inatividade.
Perguntas frequentes sobre o braço/mão de garfo de cerâmica de carboneto de silício.
P1: O que torna o braço/garfo de cerâmica de carboneto de silício melhor do que as alternativas de metal?
OGarfo/Braço de Cerâmica de Carboneto de SilícioPossui dureza superior, menor densidade, melhor resistência química e expansão térmica significativamente menor do que os metais. Além disso, é compatível com salas limpas e isento de corrosão ou geração de partículas.
P2: Posso solicitar dimensões personalizadas para o meu braço/mão de garfo de cerâmica de carboneto de silício?
Sim. Oferecemos personalização completa, incluindo largura do garfo, espessura, furos de montagem, recortes e tratamentos de superfície. Seja para wafers de 6", 8" ou 12", seubraço/mão em forma de garfoPode ser ajustado para se adequar ao seu tamanho.
P3: Qual a durabilidade do braço/mão de cerâmica de carboneto de silício sob plasma ou vácuo?
Graças ao material SiC de alta densidade e à sua natureza inerte, obraço/mão em forma de garfoPermanece funcional mesmo após milhares de ciclos de processo. Apresenta desgaste mínimo sob cargas térmicas agressivas de plasma ou vácuo.
Q4: O produto é adequado para salas limpas de classe ISO 1?
Com certeza. OGarfo/Braço de Cerâmica de Carboneto de SilícioÉ fabricado e embalado em instalações de salas limpas certificadas, com níveis de partículas bem abaixo dos requisitos da Classe 1 da ISO.
Q5: Qual é a temperatura máxima de operação deste braço/garfo?
OGarfo/Braço de Cerâmica de Carboneto de SilícioPode operar continuamente a temperaturas de até 1500°C, tornando-o adequado para uso direto em câmaras de processo de alta temperatura e sistemas de vácuo térmico.
Estas perguntas frequentes refletem as preocupações técnicas mais comuns de engenheiros, gerentes de laboratório e integradores de sistemas que utilizam oGarfo/Braço de Cerâmica de Carboneto de Silício.
Sobre nós
A XKH é especializada no desenvolvimento, produção e venda de alta tecnologia de vidros ópticos especiais e novos materiais cristalinos. Nossos produtos atendem aos setores de eletrônica óptica, eletrônicos de consumo e militar. Oferecemos componentes ópticos de safira, lentes para celulares, cerâmica, LT (tecido de baixa temperatura), carbeto de silício (SiC), quartzo e wafers de cristal semicondutor. Com expertise qualificada e equipamentos de ponta, nos destacamos no processamento de produtos não padronizados, com o objetivo de nos tornarmos uma empresa líder em alta tecnologia de materiais optoeletrônicos.










