Lingote de carboneto de silício SiC de 6 polegadas tipo N, espessura de grau fictício/primeiro, pode ser personalizado

Descrição curta:

O Carbeto de Silício (SiC) é um material semicondutor de banda larga que vem ganhando força significativa em diversos setores devido às suas propriedades elétricas, térmicas e mecânicas superiores. O lingote de SiC na classe N-type Dummy/Prime de 6 polegadas foi projetado especificamente para a produção de dispositivos semicondutores avançados, incluindo aplicações de alta potência e alta frequência. Com opções de espessura personalizáveis e especificações precisas, este lingote de SiC oferece uma solução ideal para o desenvolvimento de dispositivos utilizados em veículos elétricos, sistemas industriais de energia, telecomunicações e outros setores de alto desempenho. A robustez do SiC em condições de alta tensão, alta temperatura e alta frequência garante um desempenho duradouro, eficiente e confiável em uma variedade de aplicações.
O lingote de SiC está disponível no tamanho de 6 polegadas, com diâmetro de 150,25 mm ± 0,25 mm e espessura superior a 10 mm, tornando-o ideal para fatiamento de wafers. Este produto oferece uma orientação de superfície bem definida de 4° em direção a <11-20> ± 0,2°, garantindo alta precisão na fabricação do dispositivo. Além disso, o lingote apresenta uma orientação plana primária de <1-100> ± 5°, contribuindo para o alinhamento ideal dos cristais e o desempenho do processamento.
Com alta resistividade na faixa de 0,015–0,0285 Ω·cm, baixa densidade de microtubos de <0,5 e excelente qualidade de borda, este lingote de SiC é adequado para a produção de dispositivos de energia que exigem defeitos mínimos e alto desempenho em condições extremas.

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Detalhes do produto

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Propriedades

Grau: Grau de produção (fictício/principal)
Tamanho: 6 polegadas de diâmetro
Diâmetro: 150,25 mm ± 0,25 mm
Espessura: >10 mm (Espessura personalizável disponível mediante solicitação)
Orientação da superfície: 4° em direção a <11-20> ± 0,2°, o que garante alta qualidade do cristal e alinhamento preciso para fabricação do dispositivo.
Orientação plana primária: <1-100> ± 5°, uma característica fundamental para o fatiamento eficiente do lingote em wafers e para o crescimento ideal do cristal.
Comprimento plano primário: 47,5 mm ± 1,5 mm, projetado para fácil manuseio e corte de precisão.
Resistividade: 0,015–0,0285 Ω·cm, ideal para aplicações em dispositivos de alta eficiência energética.
Densidade do microtubo: <0,5, garantindo defeitos mínimos que possam afetar o desempenho dos dispositivos fabricados.
BPD (Densidade de Pontuação de Boro): <2000, um valor baixo que indica alta pureza de cristal e baixa densidade de defeitos.
TSD (Densidade de deslocamento do parafuso de rosca): <500, garantindo excelente integridade do material para dispositivos de alto desempenho.
Áreas de politipo: Nenhuma – o lingote não apresenta defeitos de politipo, oferecendo qualidade de material superior para aplicações de ponta.
Recuos nas bordas: <3, com largura e profundidade de 1 mm, garantindo dano mínimo à superfície e mantendo a integridade do lingote para corte eficiente do wafer.
Trincas nas bordas: 3, <1 mm cada, com baixa ocorrência de danos nas bordas, garantindo manuseio seguro e processamento posterior.
Embalagem: Caixa de wafer – o lingote de SiC é embalado com segurança em uma caixa de wafer para garantir transporte e manuseio seguros.

Aplicações

Eletrônica de Potência:O lingote de SiC de 6 polegadas é amplamente utilizado na produção de dispositivos eletrônicos de potência, como MOSFETs, IGBTs e diodos, componentes essenciais em sistemas de conversão de energia. Esses dispositivos são amplamente utilizados em inversores de veículos elétricos (VE), acionamentos de motores industriais, fontes de alimentação e sistemas de armazenamento de energia. A capacidade do SiC de operar em altas tensões, altas frequências e temperaturas extremas o torna ideal para aplicações em que dispositivos tradicionais de silício (Si) teriam dificuldade para funcionar com eficiência.

Veículos elétricos (VEs):Em veículos elétricos, componentes baseados em SiC são cruciais para o desenvolvimento de módulos de potência em inversores, conversores CC-CC e carregadores de bordo. A condutividade térmica superior do SiC permite menor geração de calor e maior eficiência na conversão de energia, o que é vital para melhorar o desempenho e a autonomia dos veículos elétricos. Além disso, os dispositivos de SiC permitem componentes menores, mais leves e mais confiáveis, contribuindo para o desempenho geral dos sistemas de veículos elétricos.

Sistemas de Energia Renovável:Lingotes de SiC são um material essencial no desenvolvimento de dispositivos de conversão de energia utilizados em sistemas de energia renovável, incluindo inversores solares, turbinas eólicas e soluções de armazenamento de energia. A alta capacidade de processamento de energia e o gerenciamento térmico eficiente do SiC permitem maior eficiência de conversão de energia e maior confiabilidade nesses sistemas. Seu uso em energia renovável contribui para impulsionar os esforços globais em direção à sustentabilidade energética.

Telecomunicações:O lingote de SiC de 6 polegadas também é adequado para a produção de componentes utilizados em aplicações de RF (radiofrequência) de alta potência. Isso inclui amplificadores, osciladores e filtros utilizados em sistemas de telecomunicações e comunicação via satélite. A capacidade do SiC de lidar com altas frequências e alta potência o torna um excelente material para dispositivos de telecomunicações que exigem desempenho robusto e perda mínima de sinal.

Aeroespacial e Defesa:A alta tensão de ruptura e a resistência a altas temperaturas do SiC o tornam ideal para aplicações aeroespaciais e de defesa. Componentes feitos de lingotes de SiC são usados em sistemas de radar, comunicações via satélite e eletrônica de potência para aeronaves e naves espaciais. Materiais à base de SiC permitem que sistemas aeroespaciais operem sob as condições extremas encontradas em ambientes espaciais e de alta altitude.

Automação Industrial:Na automação industrial, componentes de SiC são usados em sensores, atuadores e sistemas de controle que precisam operar em ambientes severos. Dispositivos baseados em SiC são empregados em máquinas que exigem componentes eficientes e duráveis, capazes de suportar altas temperaturas e tensões elétricas.

Tabela de especificações do produto

Propriedade	Especificação
Nota	Produção (fictícia/principal)
Tamanho	6 polegadas
Diâmetro	150,25 mm ± 0,25 mm
Grossura	>10mm (Personalizável)
Orientação da superfície	4° em direção a <11-20> ± 0,2°
Orientação plana primária	<1-100> ± 5°
Comprimento plano primário	47,5 mm ± 1,5 mm
Resistividade	0,015–0,0285 Ω·cm
Densidade do microtubo	<0,5
Densidade de Pite de Boro (BPD)	<2000
Densidade de deslocamento do parafuso de rosca (TSD)	<500
Áreas de Polítipo	Nenhum
Recuos de Borda	<3, 1 mm de largura e profundidade
Fissuras nas bordas	3, <1 mm/cada
Embalagem	Caixa de wafer

Conclusão

O lingote de SiC de 6 polegadas – tipo N, grau fictício/primeiro, é um material premium que atende aos rigorosos requisitos da indústria de semicondutores. Sua alta condutividade térmica, resistividade excepcional e baixa densidade de defeitos o tornam uma excelente escolha para a produção de dispositivos eletrônicos de potência avançados, componentes automotivos, sistemas de telecomunicações e sistemas de energia renovável. A espessura personalizável e as especificações de precisão garantem que este lingote de SiC possa ser adaptado a uma ampla gama de aplicações, garantindo alto desempenho e confiabilidade em ambientes exigentes. Para mais informações ou para fazer um pedido, entre em contato com nossa equipe de vendas.