Lingote de carboneto de silício (SiC) de 6 polegadas, tipo N, espessura personalizável (grau padrão/primário).

Descrição resumida:

O carboneto de silício (SiC) é um material semicondutor de banda proibida larga que vem ganhando destaque em diversos setores devido às suas propriedades elétricas, térmicas e mecânicas superiores. O lingote de SiC de 6 polegadas, tipo N (dummy/prime), foi projetado especificamente para a produção de dispositivos semicondutores avançados, incluindo aplicações de alta potência e alta frequência. Com opções de espessura personalizáveis e especificações precisas, este lingote de SiC oferece uma solução ideal para o desenvolvimento de dispositivos utilizados em veículos elétricos, sistemas de energia industrial, telecomunicações e outros setores de alto desempenho. A robustez do SiC em condições de alta tensão, alta temperatura e alta frequência garante um desempenho duradouro, eficiente e confiável em uma variedade de aplicações.
O lingote de SiC está disponível no tamanho de 6 polegadas, com um diâmetro de 150,25 mm ± 0,25 mm e uma espessura superior a 10 mm, o que o torna ideal para o corte de wafers. Este produto oferece uma orientação de superfície bem definida de 4° em direção a <11-20> ± 0,2°, garantindo alta precisão na fabricação de dispositivos. Além disso, o lingote apresenta uma orientação plana primária de <1-100> ± 5°, contribuindo para o alinhamento ideal do cristal e para o desempenho do processamento.
Com alta resistividade na faixa de 0,015–0,0285 Ω·cm, baixa densidade de microporos (<0,5) e excelente qualidade de borda, este lingote de SiC é adequado para a produção de dispositivos de potência que exigem defeitos mínimos e alto desempenho em condições extremas.

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Características

Propriedades

Grau: Grau de Produção (Dummy/Prime)
Tamanho: 6 polegadas de diâmetro
Diâmetro: 150,25 mm ± 0,25 mm
Espessura: >10mm (Espessura personalizável disponível mediante solicitação)
Orientação da superfície: 4° em direção a <11-20> ± 0,2°, o que garante alta qualidade cristalina e alinhamento preciso para a fabricação do dispositivo.
Orientação plana primária: <1-100> ± 5°, uma característica fundamental para o corte eficiente do lingote em lâminas e para o crescimento ideal do cristal.
Comprimento da lâmina principal: 47,5 mm ± 1,5 mm, projetado para fácil manuseio e corte preciso.
Resistividade: 0,015–0,0285 Ω·cm, ideal para aplicações em dispositivos de potência de alta eficiência.
Densidade de microtubos: <0,5, garantindo defeitos mínimos que possam afetar o desempenho dos dispositivos fabricados.
BPD (Densidade de Corrosão por Pite de Boro): <2000, um valor baixo que indica alta pureza cristalina e baixa densidade de defeitos.
TSD (Densidade de Dislocação de Rosca): <500, garantindo excelente integridade do material para dispositivos de alto desempenho.
Áreas de politipia: Nenhuma – o lingote está livre de defeitos de politipia, oferecendo qualidade superior do material para aplicações de alta tecnologia.
Recortes nas bordas: <3, com 1 mm de largura e profundidade, garantindo danos mínimos à superfície e mantendo a integridade do lingote para um corte eficiente do wafer.
Fissuras nas bordas: 3, <1mm cada, com baixa ocorrência de danos nas bordas, garantindo manuseio seguro e processamento posterior.
Embalagem: Estojo para wafer – o lingote de SiC é embalado com segurança em um estojo para wafer para garantir o transporte e manuseio seguros.

Aplicações

Eletrônica de potência:O lingote de SiC de 6 polegadas é amplamente utilizado na produção de dispositivos eletrônicos de potência, como MOSFETs, IGBTs e diodos, componentes essenciais em sistemas de conversão de energia. Esses dispositivos são amplamente utilizados em inversores de veículos elétricos (VE), acionamentos de motores industriais, fontes de alimentação e sistemas de armazenamento de energia. A capacidade do SiC de operar em altas tensões, altas frequências e temperaturas extremas o torna ideal para aplicações onde os dispositivos de silício (Si) tradicionais teriam dificuldades para apresentar um desempenho eficiente.

Veículos Elétricos (VEs):Em veículos elétricos, os componentes baseados em SiC são cruciais para o desenvolvimento de módulos de potência em inversores, conversores CC-CC e carregadores de bordo. A condutividade térmica superior do SiC permite menor geração de calor e maior eficiência na conversão de energia, o que é vital para melhorar o desempenho e a autonomia dos veículos elétricos. Além disso, os dispositivos de SiC possibilitam componentes menores, mais leves e mais confiáveis, contribuindo para o desempenho geral dos sistemas de veículos elétricos.

Sistemas de energia renovável:Os lingotes de SiC são um material essencial no desenvolvimento de dispositivos de conversão de energia utilizados em sistemas de energia renovável, incluindo inversores solares, turbinas eólicas e soluções de armazenamento de energia. A alta capacidade de gerenciamento de potência e a eficiente gestão térmica do SiC permitem maior eficiência na conversão de energia e melhor confiabilidade nesses sistemas. Seu uso em energia renovável contribui para impulsionar os esforços globais em prol da sustentabilidade energética.

Telecomunicações:O lingote de SiC de 6 polegadas também é adequado para a produção de componentes usados em aplicações de radiofrequência (RF) de alta potência. Isso inclui amplificadores, osciladores e filtros usados em sistemas de telecomunicações e comunicação via satélite. A capacidade do SiC de lidar com altas frequências e alta potência o torna um excelente material para dispositivos de telecomunicações que exigem desempenho robusto e perda mínima de sinal.

Aeroespacial e Defesa:A alta tensão de ruptura e a resistência a altas temperaturas do SiC o tornam ideal para aplicações aeroespaciais e de defesa. Componentes fabricados a partir de lingotes de SiC são usados em sistemas de radar, comunicações via satélite e eletrônica de potência para aeronaves e espaçonaves. Os materiais à base de SiC permitem que os sistemas aeroespaciais funcionem sob as condições extremas encontradas no espaço e em ambientes de alta altitude.

Automação Industrial:Na automação industrial, os componentes de SiC são utilizados em sensores, atuadores e sistemas de controle que precisam operar em ambientes hostis. Dispositivos baseados em SiC são empregados em máquinas que requerem componentes eficientes e duráveis, capazes de suportar altas temperaturas e tensões elétricas.

Tabela de Especificações do Produto

Propriedade	Especificação
Nota	Produção (Dummy/Prime)
Tamanho	6 polegadas
Diâmetro	150,25 mm ± 0,25 mm
Grossura	>10mm (Personalizável)
Orientação da superfície	4° em direção a <11-20> ± 0,2°
Orientação plana primária	<1-100> ± 5°
Comprimento plano primário	47,5 mm ± 1,5 mm
Resistividade	0,015–0,0285 Ω·cm
Densidade de microtubos	<0,5
Densidade de corrosão por pite de boro (BPD)	<2000
Densidade de deslocamento de rosca (TSD)	<500
Áreas de politipagem	Nenhum
Recortes de borda	<3, 1 mm de largura e profundidade
Rachaduras nas bordas	3, <1mm/cada
Embalagem	Caixa de wafer

Conclusão

O lingote de SiC de 6 polegadas – grau N (dummy/prime) é um material premium que atende aos rigorosos requisitos da indústria de semicondutores. Sua alta condutividade térmica, resistividade excepcional e baixa densidade de defeitos o tornam uma excelente escolha para a produção de dispositivos eletrônicos de potência avançados, componentes automotivos, sistemas de telecomunicações e sistemas de energia renovável. A espessura personalizável e as especificações de precisão garantem que este lingote de SiC possa ser adaptado a uma ampla gama de aplicações, assegurando alto desempenho e confiabilidade em ambientes exigentes. Para mais informações ou para fazer um pedido, entre em contato com nossa equipe de vendas.