Lingote SiC de carboneto de silício tipo manequim de 6 polegadas N/espessura de primeira qualidade pode ser personalizado

O tipo manequim do lingote sic 6inch N do carboneto de silicone/espessura da categoria principal pode vagabundos personalizados Imagem em destaque

Breve descrição:

O carboneto de silício (SiC) é um material semicondutor de banda larga que está ganhando força significativa em uma variedade de indústrias devido às suas propriedades elétricas, térmicas e mecânicas superiores. O lingote de SiC em grau Dummy/Prime tipo N de 6 polegadas foi projetado especificamente para a produção de dispositivos semicondutores avançados, incluindo aplicações de alta potência e alta frequência. Com opções de espessura personalizáveis e especificações precisas, este lingote de SiC oferece uma solução ideal para o desenvolvimento de dispositivos utilizados em veículos elétricos, sistemas de energia industriais, telecomunicações e outros setores de alto desempenho. A robustez do SiC em condições de alta tensão, alta temperatura e alta frequência garante desempenho duradouro, eficiente e confiável em diversas aplicações.
O lingote de SiC está disponível no tamanho de 6 polegadas, com diâmetro de 150,25 mm ± 0,25 mm e espessura superior a 10 mm, tornando-o ideal para fatiamento de wafer. Este produto oferece uma orientação de superfície bem definida de 4° em direção a <11-20> ± 0,2°, garantindo alta precisão na fabricação do dispositivo. Além disso, o lingote apresenta uma orientação plana primária de <1-100> ± 5°, contribuindo para o alinhamento ideal do cristal e desempenho de processamento.
Com alta resistividade na faixa de 0,015–0,0285 Ω·cm, baixa densidade de microtubos <0,5 e excelente qualidade de borda, este lingote de SiC é adequado para a produção de dispositivos de energia que exigem defeitos mínimos e alto desempenho sob condições extremas.

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Detalhes do produto

Etiquetas de produto

Propriedades

Grau: Grau de Produção (Dummy/Prime)
Tamanho: diâmetro de 6 polegadas
Diâmetro: 150,25 mm ± 0,25 mm
Espessura: >10mm (espessura personalizável disponível mediante solicitação)
Orientação da superfície: 4° em direção a <11-20> ± 0,2°, o que garante alta qualidade do cristal e alinhamento preciso para a fabricação do dispositivo.
Orientação plana primária: <1-100> ± 5°, uma característica fundamental para o corte eficiente do lingote em wafers e para o crescimento ideal do cristal.
Comprimento plano primário: 47,5 mm ± 1,5 mm, projetado para fácil manuseio e corte preciso.
Resistividade: 0,015–0,0285 Ω·cm, ideal para aplicações em dispositivos de potência de alta eficiência.
Densidade do microtubo: <0,5, garantindo defeitos mínimos que podem impactar o desempenho dos dispositivos fabricados.
BPD (Boron Pitting Density): <2000, um valor baixo que indica alta pureza do cristal e baixa densidade de defeitos.
TSD (densidade de deslocamento do parafuso de rosca): <500, garantindo excelente integridade do material para dispositivos de alto desempenho.
Áreas politipo: Nenhuma – o lingote está livre de defeitos politipo, oferecendo qualidade de material superior para aplicações de alta qualidade.
Recuos nas bordas: <3, com largura e profundidade de 1 mm, garantindo danos mínimos à superfície e mantendo a integridade do lingote para um corte eficiente do wafer.
Rachaduras nas bordas: 3, <1 mm cada, com baixa ocorrência de danos nas bordas, garantindo manuseio seguro e processamento posterior.
Embalagem: Caixa de wafer – o lingote de SiC é embalado de forma segura em uma caixa de wafer para garantir transporte e manuseio seguros.

Aplicativos

Eletrônica de Potência:O lingote de SiC de 6 polegadas é amplamente utilizado na produção de dispositivos eletrônicos de potência, como MOSFETs, IGBTs e diodos, que são componentes essenciais em sistemas de conversão de energia. Esses dispositivos são amplamente utilizados em inversores de veículos elétricos (EV), acionamentos de motores industriais, fontes de alimentação e sistemas de armazenamento de energia. A capacidade do SiC de operar em altas tensões, altas frequências e temperaturas extremas o torna ideal para aplicações onde os dispositivos tradicionais de silício (Si) teriam dificuldade para funcionar com eficiência.

Veículos Elétricos (EVs):Nos veículos elétricos, os componentes baseados em SiC são cruciais para o desenvolvimento de módulos de potência em inversores, conversores DC-DC e carregadores de bordo. A superior condutividade térmica do SiC permite redução da geração de calor e melhor eficiência na conversão de energia, o que é vital para melhorar o desempenho e a autonomia dos veículos elétricos. Além disso, os dispositivos SiC permitem componentes menores, mais leves e mais confiáveis, contribuindo para o desempenho geral dos sistemas EV.

Sistemas de Energia Renovável:Os lingotes de SiC são um material essencial no desenvolvimento de dispositivos de conversão de energia utilizados em sistemas de energia renovável, incluindo inversores solares, turbinas eólicas e soluções de armazenamento de energia. As altas capacidades de gerenciamento de energia e o gerenciamento térmico eficiente do SiC permitem maior eficiência de conversão de energia e maior confiabilidade nesses sistemas. A sua utilização em energias renováveis ajuda a impulsionar os esforços globais em direção à sustentabilidade energética.

Telecomunicações:O lingote de SiC de 6 polegadas também é adequado para a produção de componentes usados em aplicações de RF (radiofrequência) de alta potência. Isso inclui amplificadores, osciladores e filtros usados em sistemas de telecomunicações e comunicação por satélite. A capacidade do SiC de lidar com altas frequências e alta potência o torna um excelente material para dispositivos de telecomunicações que exigem desempenho robusto e perda mínima de sinal.

Aeroespacial e Defesa:A alta tensão de ruptura e a resistência a altas temperaturas do SiC o tornam ideal para aplicações aeroespaciais e de defesa. Componentes feitos de lingotes de SiC são usados em sistemas de radar, comunicações via satélite e eletrônica de potência para aeronaves e espaçonaves. Os materiais à base de SiC permitem que os sistemas aeroespaciais funcionem sob as condições extremas encontradas no espaço e em ambientes de alta altitude.

Automação Industrial:Na automação industrial, os componentes de SiC são usados em sensores, atuadores e sistemas de controle que precisam operar em ambientes agressivos. Dispositivos baseados em SiC são empregados em máquinas que requerem componentes eficientes e duradouros, capazes de suportar altas temperaturas e tensões elétricas.

Tabela de especificações do produto

Propriedade	Especificação
Nota	Produção (Dummy/Prime)
Tamanho	6 polegadas
Diâmetro	150,25 mm ± 0,25 mm
Grossura	>10mm (personalizável)
Orientação de superfície	4° em direção a <11-20> ± 0,2°
Orientação Plana Primária	<1-100> ± 5°
Comprimento plano primário	47,5 mm ± 1,5 mm
Resistividade	0,015–0,0285Ω·cm
Densidade do Microtubo	<0,5
Densidade de Pitting de Boro (BPD)	<2000
Densidade de deslocamento do parafuso de rosqueamento (TSD)	<500
Áreas politípicas	Nenhum
Recuos de borda	<3, 1mm de largura e profundidade
Rachaduras nas bordas	3, <1mm/ea
Embalagem	Caixa de wafer

Conclusão

O lingote SiC de 6 polegadas – grau Dummy/Prime tipo N é um material premium que atende aos rigorosos requisitos da indústria de semicondutores. Sua alta condutividade térmica, resistividade excepcional e baixa densidade de defeitos fazem dele uma excelente escolha para a produção de dispositivos eletrônicos de potência avançados, componentes automotivos, sistemas de telecomunicações e sistemas de energia renovável. As especificações personalizáveis de espessura e precisão garantem que este lingote de SiC possa ser adaptado para uma ampla gama de aplicações, garantindo alto desempenho e confiabilidade em ambientes exigentes. Para mais informações ou para fazer um pedido, entre em contato com nossa equipe de vendas.