Substrato de silício sobre isolante SOI com três camadas para microeletrônica e radiofrequência

Descrição curta:

O nome completo do SOI é Silicon On Insulator, o que significa estrutura do transistor de silício sobre o isolador, o princípio é entre o transistor de silício, adicione material isolante, pode fazer com que a capacitância parasita entre os dois seja menor que o dobro da original.


Características

Introdução da caixa de wafer

Apresentamos nosso avançado wafer de Silício sobre Isolante (SOI), meticulosamente projetado com três camadas distintas, revolucionando aplicações de microeletrônica e radiofrequência (RF). Este substrato inovador combina uma camada superior de silício, uma camada de óxido isolante e um substrato inferior de silício para oferecer desempenho e versatilidade incomparáveis.

Projetado para atender às demandas da microeletrônica moderna, nosso wafer SOI fornece uma base sólida para a fabricação de circuitos integrados (CIs) complexos com velocidade, eficiência energética e confiabilidade superiores. A camada superior de silício permite a integração perfeita de componentes eletrônicos complexos, enquanto a camada de óxido isolante minimiza a capacitância parasita, aprimorando o desempenho geral do dispositivo.

No âmbito das aplicações de RF, nosso wafer SOI se destaca por sua baixa capacitância parasita, alta tensão de ruptura e excelentes propriedades de isolamento. Ideal para comutadores, amplificadores, filtros e outros componentes de RF, este substrato garante desempenho ideal em sistemas de comunicação sem fio, sistemas de radar e muito mais.

Além disso, a tolerância inerente à radiação do nosso wafer SOI o torna ideal para aplicações aeroespaciais e de defesa, onde a confiabilidade em ambientes hostis é crucial. Sua construção robusta e características de desempenho excepcionais garantem uma operação consistente mesmo em condições extremas.

Principais características:

Arquitetura de três camadas: camada superior de silício, camada de óxido isolante e substrato de silício inferior.

Desempenho superior em microeletrônica: permite a fabricação de circuitos integrados avançados com maior velocidade e eficiência energética.

Excelente desempenho de RF: baixa capacitância parasita, alta tensão de ruptura e propriedades de isolamento superiores para dispositivos de RF.

Confiabilidade de nível aeroespacial: a tolerância inerente à radiação garante confiabilidade em ambientes adversos.

Aplicações versáteis: adequado para uma ampla gama de setores, incluindo telecomunicações, aeroespacial, defesa e muito mais.

Experimente a próxima geração de microeletrônica e tecnologia de RF com nosso avançado wafer de Silício sobre Isolador (SOI). Desbloqueie novas possibilidades de inovação e impulsione o progresso em suas aplicações com nossa solução de substrato de ponta.

Diagrama Detalhado

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