Wafer SOI de substrato de silício sobre isolador de três camadas para microeletrônica e radiofrequência

Breve descrição:

SOI nome completo Silicon On Insulator, é o significado da estrutura do transistor de silício no topo do isolador, o princípio é entre o transistor de silício, adicionar material isolante, pode fazer com que a capacitância parasita entre os dois do que o original seja menor que o dobro.

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Introdução da caixa de wafer

Apresentamos nosso avançado wafer Silicon-On-Insulator (SOI), meticulosamente projetado com três camadas distintas, revolucionando as aplicações de microeletrônica e de radiofrequência (RF). Este substrato inovador combina uma camada superior de silício, uma camada isolante de óxido e um substrato inferior de silício para oferecer desempenho e versatilidade incomparáveis.

Projetado para as demandas da microeletrônica moderna, nosso wafer SOI fornece uma base sólida para a fabricação de circuitos integrados (ICs) complexos com velocidade, eficiência de energia e confiabilidade superiores. A camada superior de silício permite a integração perfeita de componentes eletrônicos complexos, enquanto a camada isolante de óxido minimiza a capacitância parasita, melhorando o desempenho geral do dispositivo.

No domínio das aplicações de RF, nosso wafer SOI se destaca por sua baixa capacitância parasita, alta tensão de ruptura e excelentes propriedades de isolamento. Ideal para interruptores de RF, amplificadores, filtros e outros componentes de RF, este substrato garante desempenho ideal em sistemas de comunicação sem fio, sistemas de radar e muito mais.

Além disso, a tolerância inerente à radiação do nosso wafer SOI o torna ideal para aplicações aeroespaciais e de defesa, onde a confiabilidade em ambientes agressivos é crítica. A sua construção robusta e características de desempenho excepcionais garantem um funcionamento consistente mesmo em condições extremas.

Principais recursos:

Arquitetura de três camadas: camada superior de silício, camada isolante de óxido e substrato inferior de silício.

Desempenho microeletrônico superior: permite a fabricação de CIs avançados com maior velocidade e eficiência energética.

Excelente desempenho de RF: Baixa capacitância parasita, alta tensão de ruptura e propriedades de isolamento superiores para dispositivos de RF.

Confiabilidade de nível aeroespacial: A tolerância inerente à radiação garante confiabilidade em ambientes agressivos.

Aplicações versáteis: Adequado para uma ampla gama de indústrias, incluindo telecomunicações, aeroespacial, defesa e muito mais.

Experimente a próxima geração de microeletrônica e tecnologia de RF com nosso avançado wafer Silicon-On-Insulator (SOI). Desbloqueie novas possibilidades de inovação e impulsione o progresso em suas aplicações com nossa solução de substrato de ponta.