Wafer de silício de óxido térmico de película fina de SiO2 de 4 polegadas, 6 polegadas, 8 polegadas e 12 polegadas

O principal processo de fabricação de wafers de silício oxidado geralmente inclui as seguintes etapas: crescimento de silício monocristalino, corte em wafers, polimento, limpeza e oxidação.

Crescimento de silício monocristalino: Primeiramente, o silício monocristalino é cultivado em altas temperaturas por métodos como o método de Czochralski ou o método de zona flutuante. Este método permite a preparação de monocristais de silício com alta pureza e integridade de rede.

Corte em cubos: O silício monocristalino cultivado geralmente tem formato cilíndrico e precisa ser cortado em lâminas finas para ser usado como substrato de lâmina. O corte geralmente é feito com uma fresa diamantada.

Polimento: A superfície do wafer cortado pode ser irregular e requer polimento químico-mecânico para obter uma superfície lisa.

Limpeza: O wafer polido é limpo para remover impurezas e poeira.

Oxidação: Finalmente, as pastilhas de silício são colocadas em um forno de alta temperatura para tratamento de oxidação, a fim de formar uma camada protetora de dióxido de silício para melhorar suas propriedades elétricas e resistência mecânica, além de servir como camada isolante em circuitos integrados.

Os principais usos de wafers de silício oxidado incluem a fabricação de circuitos integrados, a fabricação de células solares e a fabricação de outros dispositivos eletrônicos. Os wafers de óxido de silício são amplamente utilizados na área de materiais semicondutores devido às suas excelentes propriedades mecânicas, estabilidade dimensional e química, capacidade de operar em altas temperaturas e altas pressões, bem como boas propriedades isolantes e ópticas.

Suas vantagens incluem uma estrutura cristalina completa, composição química pura, dimensões precisas, boas propriedades mecânicas, etc. Essas características tornam os wafers de óxido de silício particularmente adequados para a fabricação de circuitos integrados de alto desempenho e outros dispositivos microeletrônicos.