Wafers de carboneto de silício de 2 polegadas 6H ou 4H tipo N ou substratos de SiC semi-isolantes

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Breve descrição:

O carboneto de silício (SiC), também conhecido como carborundo, é um semicondutor contendo silício e carbono com fórmula química SiC. O SiC é usado em dispositivos eletrônicos semicondutores que operam em altas temperaturas ou altas tensões, ou ambos. O SiC também é um dos componentes importantes do LED, é um substrato popular para o cultivo de dispositivos GaN e também serve como dissipador de calor em altas temperaturas. LEDs de energia.

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Produtos recomendados

4H SiC wafer tipo N

Diâmetro: 2 polegadas 50,8 mm | 4 polegadas 100 mm | 6 polegadas 150mm

Orientação: fora do eixo 4,0˚ em direção a <1120> ± 0,5˚

Resistividade: <0,1 ohm.cm

Rugosidade: Si-face CMP Ra <0,5 nm, polimento óptico de face C Ra <1 nm

Wafer 4H SiC semi-isolante

Diâmetro: 2 polegadas 50,8 mm | 4 polegadas 100 mm | 6 polegadas 150mm

Orientação: no eixo {0001} ± 0,25˚

Resistividade: >1E5 ohm.cm

Rugosidade: Si-face CMP Ra <0,5 nm, polimento óptico de face C Ra <1 nm

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