Wafers de carboneto de silício de 2 polegadas 6H ou 4H, substratos de SiC tipo N ou semi-isolantes

Wafers de carboneto de silício de 2 polegadas, substratos de SiC tipo N ou semi-isolantes 6H ou 4H. Imagem em destaque.

Descrição curta:

O carboneto de silício (SiC), também conhecido como carborundum, é um semicondutor que contém silício e carbono, com fórmula química SiC. O SiC é usado em dispositivos eletrônicos semicondutores que operam em altas temperaturas ou altas tensões, ou ambos. O SiC também é um dos componentes importantes dos LEDs, sendo um substrato popular para o crescimento de dispositivos de GaN e também atua como dissipador de calor em LEDs de alta potência.

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Produtos Recomendados

Wafer de SiC 4H tipo N

Diâmetro: 2 polegadas 50,8 mm | 4 polegadas 100 mm | 6 polegadas 150 mm

Orientação: fora do eixo 4,0˚ em direção a <1120> ± 0,5˚

Resistividade: < 0,1 ohm.cm

Rugosidade: CMP da face Si Ra <0,5 nm, polimento óptico da face C Ra <1 nm

Wafer de SiC 4H semi-isolante

Diâmetro: 2 polegadas 50,8 mm | 4 polegadas 100 mm | 6 polegadas 150 mm

Orientação: no eixo {0001} ± 0,25˚

Resistividade: >1E5 ohm.cm

Rugosidade: CMP da face Si Ra <0,5 nm, polimento óptico da face C Ra <1 nm

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