Substrato
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Substrato de SiC tipo P 4H/6H-P 3C-N 4 polegadas com espessura de 350um Grau de produção Grau fictício
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Wafer de SiC 4H/6H-P de 6 polegadas, grau MPD zero, grau de produção, grau fictício
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Wafer de SiC tipo P 4H/6H-P 3C-N espessura de 6 polegadas 350 μm com orientação plana primária
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Processo TVG em wafer de quartzo safira BF33 Perfuração de wafer de vidro
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Wafer de silício monocristalino Si Substrato Tipo N/P Wafer de carboneto de silício opcional
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Substratos compostos de SiC tipo N com diâmetro de 6 polegadas. Substrato monocristalino de alta qualidade e substrato de baixa qualidade.
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Substratos compósitos de SiC sobre Si semi-isolantes
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Substratos compostos de SiC semi-isolantes Dia2 polegadas 4 polegadas 6 polegadas 8 polegadas HPSI
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Boule de safira sintética, safira monocristalina, diâmetro e espessura podem ser personalizados
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Substratos compostos de SiC tipo N sobre Si com diâmetro de 6 polegadas
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Substrato de SiC Dia200mm 4H-N e HPSI Carboneto de silício
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Substrato de SiC de 3 polegadas Diâmetro de produção 76,2 mm 4H-N