Substrato
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Wafer de silício monocristalino, substrato de Si tipo N/P, wafer de carbeto de silício opcional.
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Substratos compostos de SiC tipo N de 6 polegadas de diâmetro, monocristalinos de alta qualidade e substratos de baixa qualidade.
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Substratos compostos de SiC semi-isolantes sobre Si
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Substratos compostos de SiC semi-isolantes de 2, 4, 6 e 8 polegadas HPSI
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Safira sintética em forma de lingote, monocristal de safira. Diâmetro e espessura personalizáveis.
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Substratos compostos de SiC tipo N sobre Si com 6 polegadas de diâmetro
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Substrato de SiC Dia200mm 4H-N e carbeto de silício HPSI
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Substrato de SiC de 3 polegadas, diâmetro de produção 76,2 mm, 4H-N
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Substrato de SiC grau P e D, diâmetro 50 mm, 4H-N, 2 polegadas
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Substratos de vidro TGV, wafer de 12 polegadas, perfuração de vidro
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Lingote de SiC tipo 4H-N, grau fictício, 2 polegadas, 3 polegadas, 4 polegadas, 6 polegadas, espessura: >10mm
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Wafer SOI (silício sobre isolante) de 8 e 6 polegadas.