Equipamento de desbaste de wafers para processamento de wafers de safira/SiC/Si de 4 a 12 polegadas

1. Embalagem Avançada
• CIs 3D: O afinamento de wafers permite o empilhamento vertical de chips lógicos/de memória (por exemplo, pilhas HBM), alcançando uma largura de banda 10 vezes maior e um consumo de energia 50% menor em comparação com soluções 2,5D. O equipamento suporta ligação híbrida e integração TSV (Through-Silicon Via), essenciais para processadores de IA/ML que exigem passo de interconexão <10 μm. Por exemplo, wafers de 12 polegadas afinados para 25 μm permitem o empilhamento de mais de 8 camadas, mantendo <1,5% de deformação, essencial para sistemas LiDAR automotivos.

• Encapsulamento Fan-Out: Ao reduzir a espessura do wafer para 30 μm, o comprimento da interconexão é reduzido em 50%, minimizando o atraso do sinal (<0,2 ps/mm) e permitindo chips ultrafinos de 0,4 mm para SoCs móveis. O processo utiliza algoritmos de retificação com compensação de tensão para evitar deformações (controle de TTV >50 μm), garantindo confiabilidade em aplicações de RF de alta frequência.

2. Eletrônica de Potência
• Módulos IGBT: A redução para 50 μm reduz a resistência térmica para <0,5 °C/W, permitindo que MOSFETs de SiC de 1200 V operem a temperaturas de junção de 200 °C. Nossos equipamentos utilizam retificação em vários estágios (grossa: granulação de 46 μm → fina: granulação de 4 μm) para eliminar danos subsuperficiais, alcançando confiabilidade de ciclos térmicos acima de 10.000 ciclos. Isso é fundamental para inversores de veículos elétricos (VEs), onde wafers de SiC com 10 μm de espessura melhoram a velocidade de comutação em 30%.
• Dispositivos de Potência GaN-sobre-SiC: O afinamento do wafer para 80 μm aumenta a mobilidade dos elétrons (μ > 2000 cm²/V·s) para HEMTs GaN de 650 V, reduzindo as perdas por condução em 18%. O processo utiliza corte assistido por laser para evitar rachaduras durante o afinamento, alcançando lascamento de bordas <5 μm para amplificadores de potência de RF.

3. Optoeletrônica
• LEDs GaN-on-SiC: substratos de safira de 50 μm aumentam a eficiência de extração de luz (LEE) para 85% (em comparação com 65% para wafers de 150 μm), minimizando o aprisionamento de fótons. O controle de TTV ultrabaixo (<0,3 μm) do nosso equipamento garante uma emissão uniforme de LED em wafers de 12 polegadas, essencial para displays de Micro-LED que exigem uniformidade de comprimento de onda <100 nm.
• Fotônica de Silício: wafers de silício com 25 μm de espessura permitem uma perda de propagação 3 dB/cm menor em guias de onda, essencial para transceptores ópticos de 1,6 Tbps. O processo integra suavização CMP para reduzir a rugosidade da superfície para Ra < 0,1 nm, aumentando a eficiência do acoplamento em 40%.

4. Sensores MEMS
• Acelerômetros: wafers de silício de 25 μm alcançam SNR >85 dB (contra 75 dB para wafers de 50 μm) aumentando a sensibilidade ao deslocamento da massa de prova. Nosso sistema de retificação de eixo duplo compensa gradientes de tensão, garantindo um desvio de sensibilidade <0,5% entre -40 °C e 125 °C. As aplicações incluem detecção de colisões automotivas e rastreamento de movimento por RA/RV.

• Sensores de Pressão: A diluição para 40 μm permite faixas de medição de 0 a 300 bar com histerese de FS <0,1%. Utilizando ligação temporária (suportes de vidro), o processo evita a fratura do wafer durante a corrosão da parte traseira, alcançando tolerância de sobrepressão <1 μm para sensores industriais de IoT.

• Sinergia Técnica: Nosso equipamento de afinamento de wafers unifica a retificação mecânica, a CMP e a gravação a plasma para enfrentar diversos desafios de materiais (Si, SiC, Safira). Por exemplo, o GaN-sobre-SiC requer retificação híbrida (discos diamantados + plasma) para equilibrar dureza e expansão térmica, enquanto os sensores MEMS exigem rugosidade superficial abaixo de 5 nm por meio do polimento CMP.

• Impacto na indústria: ao permitir wafers mais finos e de alto desempenho, essa tecnologia impulsiona inovações em chips de IA, módulos 5G mmWave e eletrônicos flexíveis, com tolerâncias TTV <0,1 μm para displays dobráveis ​​e <0,5 μm para sensores LiDAR automotivos.