Substrato de SiC de 12 polegadas, diâmetro de 300 mm, espessura de 750 μm, tipo 4H-N (pode ser personalizado).

Substrato de SiC de 12 polegadas, diâmetro de 300 mm, espessura de 750 μm, tipo 4H-N (personalizável). Imagem em destaque.

Descrição resumida:

Num momento crítico da transição da indústria de semicondutores para soluções mais eficientes e compactas, o surgimento do substrato de SiC de 12 polegadas (substrato de carbeto de silício de 12 polegadas) transformou fundamentalmente o cenário. Comparado às especificações tradicionais de 6 e 8 polegadas, a vantagem do tamanho maior do substrato de 12 polegadas aumenta em mais de quatro vezes o número de chips produzidos por wafer. Além disso, o custo unitário do substrato de SiC de 12 polegadas é reduzido em 35 a 40% em comparação com os substratos convencionais de 8 polegadas, o que é crucial para a ampla adoção dos produtos finais.
Ao empregarmos nossa tecnologia proprietária de crescimento por transporte de vapor, alcançamos um controle líder do setor sobre a densidade de deslocamento em cristais de 12 polegadas, proporcionando uma base de material excepcional para a subsequente fabricação de dispositivos. Esse avanço é particularmente significativo em meio à atual escassez global de chips.

Dispositivos de energia essenciais em aplicações cotidianas — como estações de carregamento rápido para veículos elétricos e estações base 5G — estão adotando cada vez mais esse substrato de grandes dimensões. Especialmente em ambientes operacionais severos, como altas temperaturas e tensões, o substrato de SiC de 12 polegadas demonstra estabilidade muito superior em comparação com materiais à base de silício.

Envie-nos um e-mail

Características

Parâmetros técnicos

Especificação do substrato de carboneto de silício (SiC) de 12 polegadas
Nota		Produção ZeroMPD Grau (Grau Z)	Produção padrão Nota (Nota P)		Nota fictícia (Nota D)
Diâmetro		300 mm ~ 1305 mm
Grossura	4H-N	750 μm ± 15 μm	750 μm ± 25 μm
	4H-SI	750 μm ± 15 μm	750 μm ± 25 μm
Orientação do wafer		Fora do eixo: 4,0° em direção a <1120> ± 0,5° para 4H-N, No eixo: <0001> ± 0,5° para 4H-SI
Densidade de microtubos	4H-N	≤0,4cm-2	≤4cm-2		≤25cm-2
	4H-SI	≤5cm-2	≤10cm-2		≤25cm-2
Resistividade	4H-N	0,015~0,024 Ω·cm			0,015~0,028 Ω·cm
	4H-SI	≥1E10 Ω·cm			≥1E5 Ω·cm
Orientação plana primária		{10-10} ±5,0°
Comprimento plano primário	4H-N	N / D
	4H-SI	Entalhe
Exclusão de borda		3 mm
LTV/TTV/Arco/Derrapagem		≤5μm/≤15μm/≤35 μm/≤55 μm			≤5μm/≤15μm/≤35 □ μm/≤55 □ μm
Rugosidade		Polonês Ra≤1 nm
		CMP Ra≤0,2 nm			Ra≤0,5 nm
Rachaduras nas bordas causadas por luz de alta intensidade. Placas hexagonais por luz de alta intensidade Áreas politipadas por luz de alta intensidade Inclusões Visuais de Carbono Arranhões na superfície de silício causados por luz de alta intensidade		Nenhum Área cumulativa ≤0,05% Nenhum Área cumulativa ≤0,05% Nenhum			Comprimento cumulativo ≤ 20 mm, comprimento único ≤ 2 mm Área cumulativa ≤0,1% Área cumulativa ≤ 3% Área cumulativa ≤3% Comprimento cumulativo ≤ 1 × diâmetro do wafer
Lascas nas bordas devido à luz de alta intensidade		Nenhuma largura ou profundidade permitida ≥0,2 mm.			7 permitidos, ≤1 mm cada
(TSD) Deslocamento de rosca roscada		≤500 cm-2		N / D
(BPD) Deslocamento do plano de base		≤1000 cm-2		N / D
Contaminação da superfície de silício por luz de alta intensidade		Nenhum
Embalagem		Cassete para múltiplos wafers ou recipiente para um único wafer
Notas:
1. Os limites de defeitos aplicam-se a toda a superfície do wafer, exceto à área de exclusão da borda. 2Os riscos devem ser verificados apenas na face Si. 3 Os dados de deslocamento são apenas de wafers gravados com KOH.

Principais características

1. Vantagens em Capacidade de Produção e Custo: A produção em massa de substratos de SiC de 12 polegadas (substrato de carbeto de silício de 12 polegadas) marca uma nova era na fabricação de semicondutores. O número de chips que podem ser obtidos a partir de um único wafer chega a 2,25 vezes o de substratos de 8 polegadas, impulsionando diretamente um salto na eficiência da produção. O feedback dos clientes indica que a adoção de substratos de 12 polegadas reduziu seus custos de produção de módulos de potência em 28%, criando uma vantagem competitiva decisiva em um mercado altamente concorrido.
2. Propriedades Físicas Excepcionais: O substrato de SiC de 12 polegadas herda todas as vantagens do carbeto de silício – sua condutividade térmica é 3 vezes maior que a do silício, enquanto sua rigidez dielétrica atinge 10 vezes a do silício. Essas características permitem que dispositivos baseados em substratos de 12 polegadas operem de forma estável em ambientes de alta temperatura, acima de 200 °C, tornando-os particularmente adequados para aplicações exigentes, como veículos elétricos.
3. Tecnologia de Tratamento de Superfície: Desenvolvemos um novo processo de polimento químico-mecânico (CMP) específico para substratos de SiC de 12 polegadas, alcançando planicidade de superfície em nível atômico (Ra < 0,15 nm). Essa inovação resolve o desafio mundial do tratamento de superfície de wafers de carbeto de silício de grande diâmetro, eliminando obstáculos para o crescimento epitaxial de alta qualidade.
4. Desempenho de gerenciamento térmico: Em aplicações práticas, os substratos de SiC de 12 polegadas demonstram notáveis capacidades de dissipação de calor. Dados de testes mostram que, sob a mesma densidade de potência, os dispositivos que utilizam substratos de 12 polegadas operam a temperaturas 40-50 °C mais baixas do que os dispositivos baseados em silício, prolongando significativamente a vida útil do equipamento.

Principais aplicações

1. Ecossistema de Veículos de Nova Energia: O substrato de SiC de 12 polegadas (substrato de carbeto de silício de 12 polegadas) está revolucionando a arquitetura de propulsão de veículos elétricos. De carregadores de bordo (OBC) a inversores de acionamento principal e sistemas de gerenciamento de baterias, as melhorias de eficiência proporcionadas pelos substratos de 12 polegadas aumentam a autonomia do veículo em 5 a 8%. Relatórios de uma montadora líder indicam que a adoção de nossos substratos de 12 polegadas reduziu a perda de energia em seu sistema de carregamento rápido em impressionantes 62%.
2. Setor de Energias Renováveis: Em usinas fotovoltaicas, os inversores baseados em substratos de SiC de 12 polegadas não apenas apresentam dimensões menores, como também alcançam uma eficiência de conversão superior a 99%. Particularmente em cenários de geração distribuída, essa alta eficiência se traduz em uma economia anual de centenas de milhares de yuans em perdas de eletricidade para os operadores.
3. Automação Industrial: Conversores de frequência que utilizam substratos de 12 polegadas demonstram excelente desempenho em robôs industriais, máquinas-ferramenta CNC e outros equipamentos. Suas características de comutação de alta frequência melhoram a velocidade de resposta do motor em 30%, ao mesmo tempo que reduzem a interferência eletromagnética para um terço das soluções convencionais.
4. Inovação em Eletrônicos de Consumo: As tecnologias de carregamento rápido de smartphones de última geração começaram a adotar substratos de SiC de 12 polegadas. Prevê-se que os produtos de carregamento rápido acima de 65 W farão a transição completa para soluções de carboneto de silício, com os substratos de 12 polegadas emergindo como a opção ideal em termos de custo-benefício.

Serviços personalizados da XKH para substrato de SiC de 12 polegadas

Para atender aos requisitos específicos de substratos de SiC de 12 polegadas (substratos de carbeto de silício de 12 polegadas), a XKH oferece suporte técnico completo:
1. Personalização da espessura:
Oferecemos substratos de 12 polegadas em diversas especificações de espessura, incluindo 725 μm, para atender a diferentes necessidades de aplicação.
2. Concentração de dopagem:
Nossa fabricação suporta múltiplos tipos de condutividade, incluindo substratos do tipo n e do tipo p, com controle preciso da resistividade na faixa de 0,01 a 0,02 Ω·cm.
3. Serviços de teste:
Com equipamentos completos para testes em nível de wafer, fornecemos relatórios de inspeção completos.
A XKH entende que cada cliente tem requisitos únicos para substratos de SiC de 12 polegadas. Por isso, oferecemos modelos flexíveis de cooperação comercial para fornecer as soluções mais competitivas, seja para:
· Amostras de P&D
• Compras para produção em grande volume
Nossos serviços personalizados garantem que possamos atender às suas necessidades técnicas e de produção específicas para substratos de SiC de 12 polegadas.