Substrato SiC de 12 polegadas Diâmetro 300 mm Espessura 750μm Tipo 4H-N pode ser personalizado

Descrição curta:

Em um momento crítico na transição da indústria de semicondutores para soluções mais eficientes e compactas, o surgimento do substrato de SiC de 12 polegadas (substrato de carboneto de silício de 12 polegadas) transformou fundamentalmente o cenário. Comparado às especificações tradicionais de 6 e 8 polegadas, a vantagem do substrato de 12 polegadas, em tamanho grande, aumenta em mais de quatro vezes o número de chips produzidos por wafer. Além disso, o custo unitário do substrato de SiC de 12 polegadas é reduzido em 35-40% em comparação com os substratos convencionais de 8 polegadas, o que é crucial para a ampla adoção de produtos finais.
Ao empregar nossa tecnologia proprietária de crescimento por transporte de vapor, alcançamos o controle líder do setor sobre a densidade de discordâncias em cristais de 12 polegadas, fornecendo uma base material excepcional para a fabricação subsequente de dispositivos. Esse avanço é particularmente significativo em meio à atual escassez global de chips.

Dispositivos de energia essenciais para aplicações cotidianas — como estações de carregamento rápido para veículos elétricos e estações rádio-base 5G — estão adotando cada vez mais esse substrato de grande porte. Especialmente em ambientes de alta temperatura, alta tensão e outros ambientes operacionais adversos, o substrato de SiC de 12 polegadas demonstra estabilidade muito superior em comparação com materiais à base de silício.

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Detalhes do produto

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Parâmetros técnicos

Especificação do substrato de carboneto de silício (SiC) de 12 polegadas
Nota		Produção ZeroMPD Grau (grau Z)	Produção Padrão Nota (Nota P)		Grau fictício (Nota D)
Diâmetro		3 0 0 mm ~ 1305 mm
Grossura	4H-N	750μm±15 μm	750μm±25 μm
	4H-SI	750μm±15 μm	750μm±25 μm
Orientação de wafer		Fora do eixo: 4,0° em direção a <1120 >±0,5° para 4H-N, No eixo: <0001>±0,5° para 4H-SI
Densidade do microtubo	4H-N	≤0,4cm-2	≤4cm-2		≤25cm-2
	4H-SI	≤5cm-2	≤10cm-2		≤25cm-2
Resistividade	4H-N	0,015~0,024 Ω·cm			0,015~0,028 Ω·cm
	4H-SI	≥1E10 Ω·cm			≥1E5 Ω·cm
Orientação plana primária		{10-10} ±5,0°
Comprimento plano primário	4H-N	N / D
	4H-SI	Entalhe
Exclusão de Borda		3 milímetros
LTV/TTV/Arco/Distorção		≤5μm/≤15μm/≤35 μm/≤55 μm			≤5μm/≤15μm/≤35 □ μm/≤55 □ μm
Rugosidade		Ra polonês≤1 nm
		CMP Ra≤0,2 nm			Ra≤0,5 nm
Fissuras nas bordas causadas por luz de alta intensidade Placas Hexagonais por Luz de Alta Intensidade Áreas de politipia por luz de alta intensidade Inclusões de Carbono Visual Arranhões na superfície do silicone causados por luz de alta intensidade		Nenhum Área cumulativa ≤0,05% Nenhum Área cumulativa ≤0,05% Nenhum			Comprimento cumulativo ≤ 20 mm, comprimento único ≤ 2 mm Área cumulativa ≤0,1% Área acumulada≤3% Área acumulada ≤3% Comprimento cumulativo ≤1×diâmetro da pastilha
Lascas de borda por luz de alta intensidade		Nenhum permitido ≥0,2 mm de largura e profundidade			7 permitidos, ≤1 mm cada
(TSD) Luxação do parafuso de rosca		≤500 cm-2		N / D
(BPD) Deslocamento do plano base		≤1000 cm-2		N / D
Contaminação da superfície de silício por luz de alta intensidade		Nenhum
Embalagem		Cassete multi-wafer ou recipiente de wafer único
Observações:
1 Os limites de defeitos se aplicam a toda a superfície do wafer, exceto à área de exclusão da borda. 2Os arranhões devem ser verificados somente na face Si. 3 Os dados de deslocamento são apenas de wafers gravados com KOH.

Principais características

1. Capacidade de produção e vantagens de custo: A produção em massa do substrato de SiC de 12 polegadas (substrato de carboneto de silício de 12 polegadas) marca uma nova era na fabricação de semicondutores. O número de chips obtidos a partir de um único wafer chega a 2,25 vezes o de substratos de 8 polegadas, impulsionando diretamente um salto na eficiência da produção. O feedback dos clientes indica que a adoção de substratos de 12 polegadas reduziu os custos de produção de módulos de potência em 28%, criando uma vantagem competitiva decisiva em um mercado acirrado.
2. Propriedades Físicas Excepcionais: O substrato de SiC de 12 polegadas herda todas as vantagens do carboneto de silício: sua condutividade térmica é 3 vezes maior que a do silício, enquanto sua resistência ao campo de ruptura chega a 10 vezes a do silício. Essas características permitem que dispositivos baseados em substratos de 12 polegadas operem de forma estável em ambientes de alta temperatura, acima de 200 °C, tornando-os particularmente adequados para aplicações exigentes, como veículos elétricos.
3. Tecnologia de Tratamento de Superfície: Desenvolvemos um novo processo de polimento químico-mecânico (CMP) específico para substratos de SiC de 12 polegadas, alcançando planicidade de superfície em nível atômico (Ra < 0,15 nm). Este avanço resolve o desafio mundial do tratamento de superfície de wafers de carboneto de silício de grande diâmetro, eliminando obstáculos para o crescimento epitaxial de alta qualidade.
4. Desempenho de Gerenciamento Térmico: Em aplicações práticas, substratos de SiC de 12 polegadas demonstram notável capacidade de dissipação de calor. Dados de teste mostram que, sob a mesma densidade de potência, dispositivos que utilizam substratos de 12 polegadas operam em temperaturas 40-50 °C mais baixas do que dispositivos à base de silício, prolongando significativamente a vida útil do equipamento.

Principais aplicações

1. Ecossistema de Veículos de Nova Energia: O substrato de SiC de 12 polegadas (substrato de carboneto de silício de 12 polegadas) está revolucionando a arquitetura do trem de força dos veículos elétricos. De carregadores de bordo (OBC) a inversores de tração principal e sistemas de gerenciamento de bateria, as melhorias de eficiência proporcionadas pelos substratos de 12 polegadas aumentam a autonomia do veículo em 5 a 8%. Relatórios de uma montadora líder indicam que a adoção de nossos substratos de 12 polegadas reduziu a perda de energia em seu sistema de carregamento rápido em impressionantes 62%.
2. Setor de Energias Renováveis: Em usinas fotovoltaicas, inversores baseados em substratos de SiC de 12 polegadas não só apresentam formatos menores, como também alcançam eficiência de conversão superior a 99%. Particularmente em cenários de geração distribuída, essa alta eficiência se traduz em economias anuais de centenas de milhares de yuans em perdas de eletricidade para os operadores.
3. Automação Industrial: Conversores de frequência que utilizam substratos de 12 polegadas demonstram excelente desempenho em robôs industriais, máquinas-ferramentas CNC e outros equipamentos. Suas características de comutação de alta frequência melhoram a velocidade de resposta do motor em 30%, reduzindo a interferência eletromagnética para um terço das soluções convencionais.
4. Inovação em Eletrônicos de Consumo: As tecnologias de carregamento rápido de smartphones de última geração começaram a adotar substratos de SiC de 12 polegadas. Projeta-se que produtos de carregamento rápido acima de 65 W farão a transição completa para soluções de carboneto de silício, com substratos de 12 polegadas emergindo como a melhor opção em termos de custo-benefício.

Serviços personalizados XKH para substrato de SiC de 12 polegadas

Para atender a requisitos específicos de substratos de SiC de 12 polegadas (substratos de carboneto de silício de 12 polegadas), a XKH oferece suporte de serviço abrangente:
1. Personalização de espessura:
Fornecemos substratos de 12 polegadas em várias especificações de espessura, incluindo 725 μm, para atender a diferentes necessidades de aplicação.
2.Concentração de doping:
Nossa fabricação suporta vários tipos de condutividade, incluindo substratos do tipo n e do tipo p, com controle preciso de resistividade na faixa de 0,01-0,02Ω·cm.
3. Serviços de teste:
Com equipamentos completos de teste em nível de wafer, fornecemos relatórios de inspeção completos.
A XKH entende que cada cliente possui requisitos únicos para substratos de SiC de 12 polegadas. Por isso, oferecemos modelos flexíveis de cooperação comercial para fornecer as soluções mais competitivas, seja para:
· Amostras de P&D
· Compras de produção em volume
Nossos serviços personalizados garantem que possamos atender às suas necessidades técnicas e de produção específicas para substratos de SiC de 12 polegadas.