Serra de corte de precisão totalmente automática de 12 polegadas, sistema de corte dedicado para wafers de Si/SiC e HBM (Al)
Parâmetros técnicos
| Parâmetro | Especificação |
| Tamanho de trabalho | Φ8", Φ12" |
| Fuso | Eixo duplo 1.2/1.8/2.4/3.0, Máx. 60000 rpm |
| Tamanho da lâmina | 2" ~ 3" |
| Eixo Y1 / Y2
| Incremento de um passo: 0,0001 mm |
| Precisão de posicionamento: < 0,002 mm | |
| Faixa de corte: 310 mm | |
| Eixo X | Faixa de velocidade de avanço: 0,1–600 mm/s |
| Eixo Z1 / Z2
| Incremento de um passo: 0,0001 mm |
| Precisão de posicionamento: ≤ 0,001 mm | |
| Eixo θ | Precisão de posicionamento: ±15" |
| Estação de limpeza
| Velocidade de rotação: 100–3000 rpm |
| Método de limpeza: Enxágue automático e centrifugação | |
| Tensão de operação | Trifásico 380V 50Hz |
| Dimensões (L×P×A) | 1550×1255×1880 mm |
| Peso | 2100 kg |
Princípio de funcionamento
O equipamento realiza cortes de alta precisão através das seguintes tecnologias:
1. Sistema de fuso de alta rigidez: Velocidade de rotação de até 60.000 RPM, equipado com lâminas de diamante ou cabeçotes de corte a laser para se adaptar a diferentes propriedades do material.
2. Controle de movimento multieixos: Precisão de posicionamento nos eixos X/Y/Z de ±1μm, combinada com escalas de grade de alta precisão para garantir trajetórias de corte sem desvios.
3. Alinhamento visual inteligente: O CCD de alta resolução (5 megapixels) reconhece automaticamente as linhas de corte e compensa a deformação ou o desalinhamento do material.
4. Resfriamento e remoção de poeira: Sistema integrado de resfriamento com água pura e remoção de poeira por sucção a vácuo para minimizar o impacto térmico e a contaminação por partículas.
Modos de corte
1. Corte com lâmina: Adequado para materiais semicondutores tradicionais como Si e GaAs, com larguras de corte de 50 a 100 μm.
2. Corte a laser furtivo: Utilizado para wafers ultrafinos (<100 μm) ou materiais frágeis (ex.: LT/LN), permitindo a separação sem tensão.
Aplicações típicas
| Material compatível | Campo de aplicação | Requisitos de processamento |
| Silício (Si) | CIs, sensores MEMS | Corte de alta precisão, lascamento <10μm |
| Carboneto de silício (SiC) | Dispositivos de potência (MOSFET/diodos) | Corte com baixo dano, otimização do gerenciamento térmico |
| Arsenieto de gálio (GaAs) | Dispositivos de radiofrequência, chips optoeletrônicos | Prevenção de microfissuras, controle de limpeza |
| Substratos LT/LN | Filtros SAW, moduladores ópticos | Corte sem tensão, preservando as propriedades piezoelétricas. |
| Substratos cerâmicos | Módulos de potência, encapsulamento de LED | Processamento de materiais de alta dureza, planicidade das bordas |
| Quadros QFN/DFN | Embalagem avançada | Corte simultâneo de múltiplos chips, otimização de eficiência |
| Wafers WLCSP | Embalagem em nível de wafer | Corte sem danos de wafers ultrafinos (50 μm) |
Vantagens
1. Leitura em alta velocidade de fotogramas de cassete com alarmes de prevenção de colisões, posicionamento de transferência rápido e forte capacidade de correção de erros.
2. Modo de corte otimizado com dois fusos, melhorando a eficiência em aproximadamente 80% em comparação com sistemas de fuso único.
3. Fusos de esferas importados de precisão, guias lineares e controle de malha fechada da escala da grade do eixo Y, garantindo a estabilidade a longo prazo da usinagem de alta precisão.
4. Carregamento/descarregamento totalmente automatizado, posicionamento de transferência, corte de alinhamento e inspeção de kerf, reduzindo significativamente a carga de trabalho do operador (OP).
5. Estrutura de montagem do fuso tipo pórtico, com espaçamento mínimo entre lâminas duplas de 24 mm, permitindo maior adaptabilidade para processos de corte com fusos duplos.
Características
1. Medição de altura sem contato de alta precisão.
2. Corte de múltiplos wafers com lâmina dupla em uma única bandeja.
3. Sistemas automáticos de calibração, inspeção de largura de corte e detecção de quebra de lâminas.
4. Suporta diversos processos com algoritmos de alinhamento automático selecionáveis.
5. Funcionalidade de autocorreção de falhas e monitoramento multiposição em tempo real.
6. Capacidade de inspeção inicial após o corte em cubos.
7. Módulos de automação de fábrica personalizáveis e outras funções opcionais.
Serviços de equipamentos
Oferecemos suporte completo, desde a seleção de equipamentos até a manutenção a longo prazo:
(1) Desenvolvimento personalizado
• Recomendar soluções de corte a lâmina/laser com base nas propriedades do material (por exemplo, dureza do SiC, fragilidade do GaAs).
• Oferecer testes de amostra gratuitos para verificar a qualidade do corte (incluindo lascamento, largura do corte, rugosidade da superfície, etc.).
(2) Treinamento Técnico
• Treinamento básico: Operação de equipamentos, ajuste de parâmetros, manutenção de rotina.
• Cursos avançados: Otimização de processos para materiais complexos (ex.: corte sem tensão de substratos de baixa temperatura).
(3) Suporte pós-venda
• Atendimento 24 horas por dia, 7 dias por semana: diagnóstico remoto ou assistência no local.
• Fornecimento de peças de reposição: Eixos, lâminas e componentes ópticos em estoque para substituição rápida.
• Manutenção preventiva: Calibração regular para manter a precisão e prolongar a vida útil.
Nossas vantagens
✔ Experiência no setor: Atendemos mais de 300 fabricantes globais de semicondutores e eletrônicos.
✔ Tecnologia de ponta: Guias lineares de precisão e sistemas servo garantem estabilidade líder do setor.
✔ Rede de Serviço Global: Cobertura na Ásia, Europa e América do Norte para suporte localizado.
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