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Wafer de safira de 2 polegadas e 50,8 mm, plano C, plano M, plano R, plano A, espessura 350 µm, 430 µm, 500 µm

Wafer de safira de 2 polegadas e 50,8 mm, plano C, plano M, plano R, plano A, espessura 350 µm, 430 µm, 500 µm, imagem em destaque
  • Wafer de safira de 2 polegadas e 50,8 mm, plano C, plano M, plano R, plano A, espessura 350 µm, 430 µm, 500 µm
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Descrição curta:

A safira é um material com uma combinação única de propriedades físicas, químicas e ópticas, que a tornam resistente a altas temperaturas, choques térmicos, erosão por água e areia e arranhões.


Detalhes do produto

Etiquetas de produtos

Especificação de diferentes orientações

Orientação

Eixo C(0001)

Eixo R(1-102)-

Eixo M(10-10)

Eixo A(11-20)
Propriedade física

O eixo C tem luz cristalina, e os outros eixos têm luz negativa. O plano C é plano, de preferência cortado.

O plano R é um pouco mais duro que o A.

 O plano M é serrilhado escalonado, não é fácil de cortar, é fácil de cortar. A dureza do plano A é significativamente maior do que a do plano C, o que se manifesta na resistência ao desgaste, resistência a arranhões e alta dureza; O plano lateral A é um plano em zigue-zague, que é fácil de cortar;
Aplicações

Substratos de safira orientados a C são usados ​​para cultivar filmes depositados III-V e II-VI, como nitreto de gálio, que podem produzir produtos de LED azul, diodos laser e aplicações de detectores infravermelhos.
Isso ocorre principalmente porque o processo de crescimento do cristal de safira ao longo do eixo C é maduro, o custo é relativamente baixo, as propriedades físicas e químicas são estáveis ​​e a tecnologia de epitaxia no plano C é madura e estável.

Crescimento de substrato orientado a R de diferentes extrassístais de silício depositados, usados ​​em circuitos integrados de microeletrônica.
Além disso, circuitos integrados de alta velocidade e sensores de pressão também podem ser formados no processo de produção de filmes de crescimento epitaxial de silício. O substrato tipo R também pode ser usado na produção de chumbo, outros componentes supercondutores, resistores de alta resistência e arsenieto de gálio.

 É usado principalmente para cultivar filmes epitaxiais de GaN não polares/semipolares para melhorar a eficiência luminosa. A orientação A em relação ao substrato produz uma permissividade/meio uniforme, e um alto grau de isolamento é utilizado na tecnologia de microeletrônica híbrida. Supercondutores de alta temperatura podem ser produzidos a partir de cristais alongados de base A.
Capacidade de processamento Substrato de safira padrão (PSS): na forma de crescimento ou gravação, padrões de microestrutura regulares específicos em nanoescala são projetados e feitos no substrato de safira para controlar a forma de saída de luz do LED e reduzir os defeitos diferenciais entre o GaN crescendo no substrato de safira, melhorar a qualidade da epitaxia e aumentar a eficiência quântica interna do LED e aumentar a eficiência da extração de luz.
Além disso, prisma de safira, espelho, lente, furo, cone e outras peças estruturais podem ser personalizadas de acordo com as necessidades do cliente.

Declaração de propriedade

 Densidade Dureza ponto de fusão Índice de refração (visível e infravermelho) Transmitância (DSP) Constante dielétrica
3,98g/cm3 9 (mohs) 2053℃ 1,762~1,770 ≥85% 11,58@300K no eixo C (9,4 no eixo A）

Diagrama Detalhado

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