Wafer de safira de 2 polegadas (50,8 mm) - Plano C, Plano M, Plano R, Plano A - Espessura: 350 µm, 430 µm, 500 µm
Especificação de diferentes orientações
| Orientação | Eixo C(0001) | Eixo R(1-102) | Eixo M(10-10) | Eixo A(11-20) | ||
| Propriedade física | O eixo C possui luz cristalina, enquanto os demais eixos possuem luz negativa. O plano C é plano, preferencialmente recortado. | O plano R é um pouco mais difícil que o plano A. | A lâmina em formato de M é serrilhada em degraus, não é fácil de cortar, mas sim fácil de cortar. | A dureza do plano A é significativamente maior do que a do plano C, o que se manifesta na resistência ao desgaste, resistência a riscos e alta dureza; o plano lateral A é um plano em ziguezague, o que facilita o corte; | ||
| Aplicações | Substratos de safira com orientação C são usados para o crescimento de filmes depositados de semicondutores III-V e II-VI, como o nitreto de gálio, que podem ser utilizados na produção de LEDs azuis, diodos laser e detectores de infravermelho. | Crescimento de substrato orientado em direção à direção R de diferentes extrassístais de silício depositados, utilizados em circuitos integrados de microeletrônica. | É utilizado principalmente para o crescimento de filmes epitaxiais de GaN não polares/semipolares, visando melhorar a eficiência luminosa. | A orientação A em relação ao substrato produz uma permissividade/meio uniforme, e um alto grau de isolamento é utilizado na tecnologia de microeletrônica híbrida. Supercondutores de alta temperatura podem ser produzidos a partir de cristais alongados com base A. | ||
| Capacidade de processamento | Substrato de Safira Padronizado (PSS): Através de processos de crescimento ou corrosão, padrões de microestrutura regulares em nanoescala são projetados e fabricados no substrato de safira para controlar o formato da emissão de luz do LED, reduzir os defeitos diferenciais entre as camadas de GaN que crescem sobre o substrato, melhorar a qualidade da epitaxia, aumentar a eficiência quântica interna do LED e, consequentemente, a eficiência de extração de luz. Além disso, prismas de safira, espelhos, lentes, orifícios, cones e outras peças estruturais podem ser personalizados de acordo com as necessidades do cliente. | |||||
| Declaração de propriedade | Densidade | Dureza | ponto de fusão | Índice de refração (visível e infravermelho) | Transmissão (DSP) | constante dielétrica |
| 3,98 g/cm³ | 9 (Mohs) | 2053℃ | 1,762~1,770 | ≥85% | 11,58 a 300 K no eixo C (9,4 no eixo A) | |
Diagrama detalhado
