2 polegadas 50,8 mm Safira Wafer C-Plane M-plane R-plane A-plane Espessura 350um 430um 500um

2 polegadas 50,8 mm Safira Wafer C-Plane M-plane R-plane A-plane Espessura 350um 430um 500um Imagem em destaque

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A safira é um material com uma combinação única de propriedades físicas, químicas e ópticas, que o tornam resistente a altas temperaturas, choque térmico, erosão por água e areia e arranhões.

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Especificação de diferentes orientações

Orientação	C(0001)-Eixo		Eixo R(1-102)		M(10-10) -Eixo	Eixo A(11-20)
Propriedade física	O eixo C possui luz cristalina e os demais eixos possuem luz negativa.O plano C é plano, de preferência cortado.		Plano R um pouco mais difícil que A.		O plano M é serrilhado, não é fácil de cortar, é fácil de cortar.	A dureza do plano A é significativamente maior que a do plano C, que se manifesta na resistência ao desgaste, resistência a arranhões e alta dureza;O plano lateral A é um plano em zigue-zague, fácil de cortar;
Formulários	Substratos de safira orientados a C são usados para cultivar filmes depositados III-V e II-VI, como nitreto de gálio, que podem produzir produtos LED azuis, diodos laser e aplicações de detectores infravermelhos. Isto ocorre principalmente porque o processo de crescimento do cristal de safira ao longo do eixo C está maduro, o custo é relativamente baixo, as propriedades físicas e químicas são estáveis e a tecnologia de epitaxia no plano C é madura e estável.		Crescimento de substrato orientado R de diferentes extra-sistemas de silício depositados, utilizados em circuitos integrados microeletrônicos. Além disso, circuitos integrados de alta velocidade e sensores de pressão também podem ser formados no processo de produção de filmes de crescimento epitaxial de silício.O substrato tipo R também pode ser usado na produção de chumbo, outros componentes supercondutores, resistores de alta resistência e arsenieto de gálio.		É usado principalmente para cultivar filmes epitaxiais de GaN não polares/semipolares para melhorar a eficiência luminosa.	A orientado para o substrato produz uma permissividade/meio uniforme, e um alto grau de isolamento é usado na tecnologia de microeletrônica híbrida.Supercondutores de alta temperatura podem ser produzidos a partir de cristais alongados de base A.
Capacidade de processamento	Substrato de safira padrão (PSS): Na forma de crescimento ou gravação, padrões de microestrutura regulares específicos em nanoescala são projetados e feitos no substrato de safira para controlar a forma de saída de luz do LED e reduzir os defeitos diferenciais entre o crescimento de GaN no substrato de safira , melhore a qualidade da epitaxia e melhore a eficiência quântica interna do LED e aumente a eficiência da extração de luz. Além disso, prisma de safira, espelho, lente, orifício, cone e outras peças estruturais podem ser personalizados de acordo com as necessidades do cliente.
Declaração de propriedade	Densidade	Dureza	ponto de fusão	Índice de refração (visível e infravermelho)	Transmitância (DSP)	Constante dielétrica
Declaração de propriedade	3,98g/cm3	9(mohs)	2053°C	1,762~1,770	≥85%	11,58@300K no eixo C (9,4 no eixo A)

Diagrama Detalhado

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Anterior: Bolacha LiNbO3 LN de niobato de lítio de 8 polegadas

Próximo: 2 polegadas 50,8 mm de espessura 0,1 mm 0,2 mm 0,43 mm Safira Wafer Plano C Plano M Plano R Plano A

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