Produção de pesquisa de wafer de SiC 4H-N/6H-N Substrato de carboneto de silício de grau fictício com diâmetro de 150 mm
Especificação de substrato de carboneto de silício (SiC) de 6 polegadas de diâmetro
Nota | MPD zero | Produção | Grau de Pesquisa | Grau fictício |
Diâmetro | 150,0 mm ± 0,25 mm | |||
Grossura | 4H-N | 350um±25um | ||
4H-SI | 500um±25um | |||
Orientação de wafer | No eixo: <0001>±0,5°para 4H-SI | |||
Apartamento principal | {10-10}±5,0° | |||
Comprimento plano primário | 47,5 mm ± 2,5 mm | |||
Exclusão de borda | 3 mm | |||
TTV/Arco/Distorção | ≤15um/≤40um/≤60um | |||
Densidade do microtubo | ≤1cm-2 | ≤5cm-2 | ≤15cm-2 | ≤50cm-2 |
Resistividade 4H-N 4H-SI | 0,015~0,028Ω!cm | |||
≥1E5Ω!cm | ||||
Rugosidade | Polonês Ra ≤1nm CMP Ra≤0,5nm | |||
#Rachaduras por luz de alta intensidade | Nenhum | 1 permitido, ≤2mm | Comprimento cumulativo ≤10 mm, comprimento único ≤2 mm | |
*Placas hexagonais por luz de alta intensidade | Área cumulativa ≤1% | Área acumulada ≤ 2% | Área acumulada ≤ 5% | |
*Áreas de politipia por luz de alta intensidade | Nenhum | Área acumulada ≤ 2% | Área acumulada ≤ 5% | |
*&Arranhões por luz de alta intensidade | 3 arranhões em 1 x comprimento cumulativo do diâmetro da pastilha | 5 arranhões para 1 x comprimento cumulativo do diâmetro do wafer | 5 arranhões para 1 x comprimento cumulativo do diâmetro do wafer | |
lasca de borda | Nenhum | 3 permitidos, ≤0,5 mm cada | 5 permitidos, ≤1mm cada | |
Contaminação por luz de alta intensidade | Nenhum
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Vendas e Atendimento ao Cliente
Compra de materiais
O departamento de compras de materiais é responsável por reunir todas as matérias-primas necessárias para a produção do seu produto. A rastreabilidade completa de todos os produtos e materiais, incluindo análises químicas e físicas, está sempre disponível.
Qualidade
Durante e após a fabricação ou usinagem de seus produtos, o departamento de controle de qualidade está envolvido para garantir que todos os materiais e tolerâncias atendam ou excedam suas especificações.
Serviço
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