Substrato do carboneto de silicone da categoria Dia150mm da produção de Reasearch da bolacha de 4H-N/6H-N SiC
Especificação de substrato de carboneto de silício (SiC) de 6 polegadas de diâmetro
Nota | MPD zero | Produção | Grau de pesquisa | Nota fictícia |
Diâmetro | 150,0mm±0,25mm | |||
Grossura | 4H-N | 350um±25um | ||
4H-SI | 500um±25um | |||
Orientação de wafer | No eixo:<0001>±0,5°para 4H-SI | |||
Apartamento Primário | {10-10}±5,0° | |||
Comprimento plano primário | 47,5mm±2,5mm | |||
Exclusão de borda | 3mm | |||
TTV/Arco/Urdidura | ≤15um/≤40um/≤60um | |||
Densidade do Microtubo | ≤1cm-2 | ≤5cm-2 | ≤15cm-2 | ≤50cm-2 |
Resistividade 4H-N 4H-SI | 0,015~0,028Ω!cm | |||
≥1E5Ω!cm | ||||
Rugosidade | Ra polonês ≤1nm CMP Ra≤0,5nm | |||
#Rachaduras por luz de alta intensidade | Nenhum | 1 permitido,≤2mm | Comprimento cumulativo ≤10mm, comprimento único≤2mm | |
*Placas hexagonais por luz de alta intensidade | Área acumulada ≤1% | Área acumulada ≤ 2% | Área acumulada ≤ 5% | |
*Áreas politípicas por luz de alta intensidade | Nenhum | Área acumulada ≤ 2% | Área acumulada ≤ 5% | |
*&Arranhões por luz de alta intensidade | 3 arranhões para 1 x comprimento cumulativo do diâmetro do wafer | 5 arranhões para 1 x comprimento cumulativo do diâmetro do wafer | 5 arranhões para 1 x comprimento cumulativo do diâmetro do wafer | |
Chip de borda | Nenhum | 3 permitidos, ≤0,5 mm cada | 5 permitidos, ≤1mm cada | |
Contaminação por luz de alta intensidade | Nenhum
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Vendas e atendimento ao cliente
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