Substratos SiC de 3 polegadas Dia76,2 mm HPSI Prime Research e grau fictício

Substrato condutor: refere-se à resistividade do substrato de carboneto de silício de 15 ~ 30mΩ-cm. O wafer epitaxial de carboneto de silício cultivado a partir do substrato condutor de carboneto de silício pode ser posteriormente transformado em dispositivos de energia, que são amplamente utilizados em novos veículos de energia, energia fotovoltaica, redes inteligentes e transporte ferroviário.

Substrato semi-isolante refere-se à resistividade superior a 100000Ω-cm substrato de carboneto de silício, usado principalmente na fabricação de dispositivos de radiofrequência de micro-ondas de nitreto de gálio, é a base do campo de comunicação sem fio.

É um componente básico no campo da comunicação sem fio.

Substratos condutores e semi-isolantes de carboneto de silício são usados ​​em uma ampla gama de dispositivos eletrônicos e dispositivos de energia, incluindo, mas não limitados aos seguintes:

Dispositivos semicondutores de alta potência (condutivos): Os substratos de carboneto de silício têm alta intensidade de campo de ruptura e condutividade térmica e são adequados para a produção de transistores e diodos de alta potência e outros dispositivos.

Dispositivos eletrônicos de RF (semi-isolados): Os substratos de carboneto de silício possuem alta velocidade de comutação e tolerância de potência, adequados para aplicações como amplificadores de potência de RF, dispositivos de micro-ondas e interruptores de alta frequência.

Dispositivos optoeletrônicos (semi-isolados): Os substratos de carboneto de silício possuem um amplo gap de energia e alta estabilidade térmica, adequados para a fabricação de fotodiodos, células solares e diodos laser e outros dispositivos.

Sensores de temperatura (condutivos): Os substratos de carboneto de silício possuem alta condutividade térmica e estabilidade térmica, adequados para a produção de sensores de alta temperatura e instrumentos de medição de temperatura.

O processo de produção e aplicação de substratos condutores e semi-isolantes de carboneto de silício possuem uma ampla gama de campos e potenciais, proporcionando novas possibilidades para o desenvolvimento de dispositivos eletrônicos e dispositivos de potência.