wafer de silício de 8 polegadas tipo P/N (100) 1-100Ω substrato de recuperação fictício
Introdução à caixa de wafers
O wafer de silício de 8 polegadas é um substrato de silício comum e amplamente utilizado no processo de fabricação de circuitos integrados. Esses wafers são comumente usados para produzir diversos tipos de circuitos integrados, incluindo microprocessadores, chips de memória, sensores e outros dispositivos eletrônicos. Os wafers de silício de 8 polegadas são frequentemente utilizados para fabricar chips de tamanho relativamente grande, apresentando vantagens como uma área de superfície maior e a capacidade de produzir mais chips em um único wafer, o que leva a um aumento da eficiência de produção. O wafer de silício de 8 polegadas também possui boas propriedades mecânicas e químicas, sendo adequado para a produção em larga escala de circuitos integrados.
Características do produto
Wafer de silício polido tipo P/N de 8 polegadas (25 unidades)
Orientação: 200
Resistividade: 0,1 - 40 ohm•cm (Pode variar de lote para lote)
Espessura: 725+/-20um
Grau Prime/Monitor/Test
PROPRIEDADES DO MATERIAL
| Parâmetro | Característica |
| Tipo/Dopante | P, Boro N, Fósforo N, Antimônio N, Arsênio |
| Orientações | <100>, <111> orientações de corte conforme especificações do cliente |
| Conteúdo de oxigênio | 1019ppmA Tolerâncias personalizadas conforme especificação do cliente |
| Teor de carbono | < 0,6 ppmA |
PROPRIEDADES MECÂNICAS
| Parâmetro | Melhor | Monitorar/Testar A | Teste |
| Diâmetro | 200±0,2mm | 200 ± 0,2 mm | 200 ± 0,5 mm |
| Grossura | 725±20µm (padrão) | 725±25µm (padrão) 450±25µm 625±25µm 1000±25µm 1300±25µm 1500±25 µm | 725±50µm (padrão) |
| TTV | < 5 µm | < 10 µm | < 15 µm |
| Arco | < 30 µm | < 30 µm | < 50 µm |
| Enrolar | < 30 µm | < 30 µm | < 50 µm |
| Arredondamento de bordas | SEMI-PADRÃO | ||
| Marcação | Somente para semiplanos primários, semiplanos padrão Jeida Flat, com entalhe | ||
| Parâmetro | Melhor | Monitorar/Testar A | Teste |
| Critérios da Frente | |||
| Condições da superfície | Polimento químico-mecânico | Polimento químico-mecânico | Polimento químico-mecânico |
| Rugosidade da superfície | < 2 A° | < 2 A° | < 2 A° |
| Contaminação Partículas com tamanho superior a 0,3 µm | = 20 | = 20 | = 30 |
| Névoa, Poços Casca de laranja | Nenhum | Nenhum | Nenhum |
| Serra, marcas Estrias | Nenhum | Nenhum | Nenhum |
| Critérios do Lado Posterior | |||
| Rachaduras, pés de galinha, marcas de serra, manchas | Nenhum | Nenhum | Nenhum |
| Condições da superfície | gravado com cáustico | ||
Diagrama detalhado





