Substratos de cristal de semente de SiC personalizados com diâmetro de 205/203/208 tipo 4H-N para comunicações ópticas

Descrição curta:

Substratos de cristal semente de SiC (carboneto de silício), como portadores principais de materiais semicondutores de terceira geração, alavancam sua alta condutividade térmica (4,9 W/cm·K), ultra-alta intensidade de campo de ruptura (2–4 MV/cm) e ampla banda proibida (3,2 eV) para servir como materiais fundamentais para optoeletrônica, veículos de nova energia, comunicações 5G e aplicações aeroespaciais. Por meio de tecnologias avançadas de fabricação, como transporte físico de vapor (PVT) e epitaxia em fase líquida (LPE), a XKH fornece substratos semente do tipo 4H/6H-N, semi-isolantes e politipo 3C-SiC em formatos de wafer de 2–12 polegadas, com densidades de microtubos abaixo de 0,3 cm², resistividade variando de 20–23 mΩ·cm e rugosidade superficial (Ra) <0,2 nm. Nossos serviços incluem crescimento heteroepitaxial (por exemplo, SiC sobre Si), usinagem de precisão em nanoescala (tolerância de ±0,1 μm) e entrega rápida global, capacitando os clientes a superar barreiras técnicas e acelerar a neutralidade de carbono e a transformação inteligente.

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Características

Parâmetros técnicos

Wafer de semente de carboneto de silício
Polítipo	4H
Erro de orientação de superfície	4° em direção a<11-20>±0,5º
Resistividade	personalização
Diâmetro	205±0,5 mm
Grossura	600±50μm
Rugosidade	CMP,Ra≤0,2 nm
Densidade do microtubo	≤1 ea/cm2
Arranhões	≤5,Comprimento total≤2*Diâmetro
Lascas/entalhes nas bordas	Nenhum
Marcação a laser frontal	Nenhum
Arranhões	≤2,Comprimento total≤Diâmetro
Lascas/entalhes nas bordas	Nenhum
Áreas de politipo	Nenhum
Marcação a laser traseira	1 mm (da borda superior)
Borda	Chanfro
Embalagem	Cassete multi-wafer

Características principais

1. Estrutura Cristalina e Desempenho Elétrico

· Estabilidade cristalográfica: dominância de 100% do politipo 4H-SiC, zero inclusões multicristalinas (por exemplo, 6H/15R), com curva de oscilação XRD de largura total na metade do máximo (FWHM) ≤32,7 segundos de arco.

· Alta mobilidade de portadores: mobilidade de elétrons de 5.400 cm²/V·s (4H-SiC) e mobilidade de lacunas de 380 cm²/V·s, permitindo projetos de dispositivos de alta frequência.

·Dureza à radiação: Suporta irradiação de nêutrons de 1 MeV com um limite de dano por deslocamento de 1×10¹⁵ n/cm², ideal para aplicações aeroespaciais e nucleares.

2. Propriedades Térmicas e Mecânicas

· Condutividade térmica excepcional: 4,9 W/cm·K (4H-SiC), o triplo do silício, suportando operação acima de 200°C.

· Baixo coeficiente de expansão térmica: CTE de 4,0×10⁻⁶/K (25–1000°C), garantindo compatibilidade com embalagens à base de silício e minimizando o estresse térmico.

3. Controle de Defeitos e Precisão de Processamento

· Densidade do microtubo: <0,3 cm⁻² (wafers de 8 polegadas), densidade de deslocamento <1.000 cm⁻² (verificada por corrosão por KOH).

· Qualidade da superfície: polida por CMP até Ra < 0,2 nm, atendendo aos requisitos de planura de grau litográfico EUV.

Principais aplicações

Domínio	Cenários de Aplicação	Vantagens técnicas
Comunicações Ópticas	Lasers 100G/400G, módulos híbridos de fotônica de silício	Os substratos de semente de InP permitem banda proibida direta (1,34 eV) e heteroepitaxia baseada em Si, reduzindo a perda de acoplamento óptico.
Veículos de Nova Energia	Inversores de alta tensão de 800 V, carregadores de bordo (OBC)	Os substratos 4H-SiC suportam >1.200 V, reduzindo as perdas de condução em 50% e o volume do sistema em 40%.
Comunicações 5G	Dispositivos de RF de ondas milimétricas (PA/LNA), amplificadores de potência de estação base	Substratos de SiC semi-isolantes (resistividade >10⁵ Ω·cm) permitem integração passiva de alta frequência (60 GHz+).
Equipamentos Industriais	Sensores de alta temperatura, transformadores de corrente, monitores de reatores nucleares	Substratos de semente InSb (banda proibida de 0,17 eV) fornecem sensibilidade magnética de até 300% a 10 T.

Principais vantagens

Os substratos de cristal semente de SiC (carboneto de silício) oferecem desempenho incomparável com condutividade térmica de 4,9 W/cm·K, intensidade de campo de ruptura de 2–4 MV/cm e ampla banda proibida de 3,2 eV, permitindo aplicações de alta potência, alta frequência e alta temperatura. Com densidade de microtubos zero e densidade de discordâncias <1.000 cm², esses substratos garantem confiabilidade em condições extremas. Sua inércia química e superfícies compatíveis com CVD (Ra <0,2 nm) permitem crescimento heteroepitaxial avançado (por exemplo, SiC sobre Si) para sistemas de energia optoeletrônica e EV.

Serviços XKH:

1. Produção personalizada

· Formatos de wafer flexíveis: wafers de 2 a 12 polegadas com cortes circulares, retangulares ou de formato personalizado (tolerância de ±0,01 mm).

· Controle de dopagem: dopagem precisa de nitrogênio (N) e alumínio (Al) via CVD, alcançando faixas de resistividade de 10⁻³ a 10⁶ Ω·cm.

2. Tecnologias de Processo Avançadas

· Heteroepitaxia: SiC-sobre-Si (compatível com linhas de silício de 8 polegadas) e SiC-sobre-Diamante (condutividade térmica >2.000 W/m·K).

· Mitigação de defeitos: corrosão e recozimento de hidrogênio para reduzir defeitos de microtubulação/densidade, melhorando o rendimento do wafer para >95%.

3. Sistemas de Gestão da Qualidade

· Testes de ponta a ponta: espectroscopia Raman (verificação de politipo), XRD (cristalinidade) e SEM (análise de defeitos).

· Certificações: Em conformidade com AEC-Q101 (automotivo), JEDEC (JEDEC-033) e MIL-PRF-38534 (nível militar).

4. Suporte à cadeia de suprimentos global

· Capacidade de produção: Produção mensal >10.000 wafers (60% de 8 polegadas), com entrega de emergência em 48 horas.

· Rede logística: Cobertura na Europa, América do Norte e Ásia-Pacífico via frete aéreo/marítimo com embalagem com temperatura controlada.

5. Co-Desenvolvimento Técnico

· Laboratórios conjuntos de P&D: colaborar na otimização de encapsulamento de módulos de energia SiC (por exemplo, integração de substrato DBC).

· Licenciamento de IP: Fornecer licenciamento de tecnologia de crescimento epitaxial de RF GaN-on-SiC para reduzir os custos de P&D do cliente.

Resumo

Substratos de cristal semente de SiC (carboneto de silício), como material estratégico, estão remodelando as cadeias industriais globais por meio de avanços no crescimento de cristais, controle de defeitos e integração heterogênea. Ao avançar continuamente na redução de defeitos em wafers, escalar a produção de 8 polegadas e expandir plataformas heteroepitaxiais (por exemplo, SiC sobre diamante), a XKH oferece soluções de alta confiabilidade e custo-benefício para optoeletrônica, novas energias e manufatura avançada. Nosso compromisso com a inovação garante que nossos clientes sejam líderes em neutralidade de carbono e sistemas inteligentes, impulsionando a próxima era de ecossistemas de semicondutores de banda larga.