Produtos
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Substrato de carbeto de silício 6H-N de 2 polegadas, wafer de SiC polido duplo, condutivo, de primeira qualidade, grau MOS.
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Substrato de wafer GaN de 200 mm (8 polegadas) sobre camada epitaxial de safira
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Tubo de Safira KY (Tubo de Safira Cultivada por Kyropoulos)
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Tubos de safira cultivados por EFG: safira monocristalina de alto desempenho
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Sistema de microusinagem a laser de alta precisão
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Wafer de 4H-SiC de 12 polegadas para óculos de realidade aumentada.
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Máquina de processamento a laser guiada por microjato de água
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Serra diamantada de múltiplos fios tipo oscilante invertido, alta velocidade e alta precisão.
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Serra de fio diamantado multifios para corte de alta precisão de materiais duros e quebradiços.
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Serra diamantada multifios TJ3000 com 30 cm de diâmetro e giro invertido para baixo.
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Efetor final de cerâmica de carboneto de silício (tipo garfo/mão)
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Componente personalizado de cerâmica de alumina