Substrato de SiC de 3 polegadas, espessura de 350 µm, tipo HPSI, grau primário, grau fictício
Propriedades
| Parâmetro | Grau de produção | Grau de Pesquisa | Grau fictício | Unidade |
| Nota | Grau de produção | Grau de Pesquisa | Grau fictício | |
| Diâmetro | 76,2 ± 0,5 | 76,2 ± 0,5 | 76,2 ± 0,5 | mm |
| Grossura | 500 ± 25 | 500 ± 25 | 500 ± 25 | µm |
| Orientação de wafer | No eixo: <0001> ± 0,5° | No eixo: <0001> ± 2,0° | No eixo: <0001> ± 2,0° | grau |
| Densidade de microtubos (MPD) | ≤ 1 | ≤ 5 | ≤ 10 | cm−2^-2−2 |
| Resistividade elétrica | ≥ 1E10 | ≥ 1E5 | ≥ 1E5 | Ω·cm |
| Dopante | Não dopado | Não dopado | Não dopado | |
| Orientação plana primária | {1-100} ± 5,0° | {1-100} ± 5,0° | {1-100} ± 5,0° | grau |
| Comprimento plano primário | 32,5 ± 3,0 | 32,5 ± 3,0 | 32,5 ± 3,0 | mm |
| Comprimento plano secundário | 18,0 ± 2,0 | 18,0 ± 2,0 | 18,0 ± 2,0 | mm |
| Orientação plana secundária | 90° CW do plano primário ± 5,0° | 90° CW do plano primário ± 5,0° | 90° CW do plano primário ± 5,0° | grau |
| Exclusão de Borda | 3 | 3 | 3 | mm |
| LTV/TTV/Arco/Distorção | 3 / 10 / ±30 / 40 | 3 / 10 / ±30 / 40 | 5 / 15 / ±40 / 45 | µm |
| Rugosidade da superfície | Face Si: CMP, Face C: Polida | Face Si: CMP, Face C: Polida | Face Si: CMP, Face C: Polida | |
| Rachaduras (Luz de Alta Intensidade) | Nenhum | Nenhum | Nenhum | |
| Placas Hexagonais (Luz de Alta Intensidade) | Nenhum | Nenhum | Área acumulada 10% | % |
| Áreas de Politipo (Luz de Alta Intensidade) | Área acumulada 5% | Área acumulada 20% | Área acumulada 30% | % |
| Arranhões (luz de alta intensidade) | ≤ 5 arranhões, comprimento cumulativo ≤ 150 | ≤ 10 arranhões, comprimento cumulativo ≤ 200 | ≤ 10 arranhões, comprimento cumulativo ≤ 200 | mm |
| Lascamento de bordas | Nenhum ≥ 0,5 mm de largura/profundidade | 2 permitidos ≤ 1 mm largura/profundidade | 5 permitidos ≤ 5 mm largura/profundidade | mm |
| Contaminação de superfície | Nenhum | Nenhum | Nenhum |
Aplicações
1. Eletrônica de alta potência
A condutividade térmica superior e a ampla largura de banda dos wafers de SiC os tornam ideais para dispositivos de alta potência e alta frequência:
●MOSFETs e IGBTs para conversão de energia.
●Sistemas avançados de energia para veículos elétricos, incluindo inversores e carregadores.
●Infraestrutura de rede inteligente e sistemas de energia renovável.
2. Sistemas de RF e Micro-ondas
Os substratos de SiC permitem aplicações de RF e micro-ondas de alta frequência com perda mínima de sinal:
●Sistemas de telecomunicações e satélites.
●Sistemas de radar aeroespacial.
●Componentes avançados de rede 5G.
3. Optoeletrônica e Sensores
As propriedades exclusivas do SiC oferecem suporte a uma variedade de aplicações optoeletrônicas:
●Detectores UV para monitoramento ambiental e detecção industrial.
●Substratos de LED e laser para iluminação de estado sólido e instrumentos de precisão.
●Sensores de alta temperatura para as indústrias aeroespacial e automotiva.
4. Pesquisa e Desenvolvimento
A diversidade de níveis (Produção, Pesquisa, Modelo) permite experimentação de ponta e prototipagem de dispositivos na academia e na indústria.
Vantagens
●Confiabilidade:Excelente resistividade e estabilidade em todos os níveis.
●Personalização:Orientações e espessuras personalizadas para atender diferentes necessidades.
●Alta Pureza:A composição não dopada garante variações mínimas relacionadas a impurezas.
●Escalabilidade:Atende aos requisitos de produção em massa e pesquisa experimental.
Os wafers de SiC de alta pureza de 3 polegadas são a sua porta de entrada para dispositivos de alto desempenho e avanços tecnológicos inovadores. Para consultas e especificações detalhadas, entre em contato conosco hoje mesmo.
Resumo
Os wafers de carboneto de silício (SiC) de alta pureza de 3 polegadas, disponíveis nos graus de produção, pesquisa e fictício, são substratos premium projetados para eletrônica de alta potência, sistemas de RF/micro-ondas, optoeletrônica e P&D avançado. Esses wafers apresentam propriedades semi-isolantes não dopadas, com excelente resistividade (≥1E10 Ω·cm para o grau de produção), baixa densidade de microtubos (≤1 cm−2^-2−2) e qualidade de superfície excepcional. São otimizados para aplicações de alto desempenho, incluindo conversão de energia, telecomunicações, detecção UV e tecnologias LED. Com orientações personalizáveis, condutividade térmica superior e propriedades mecânicas robustas, esses wafers de SiC permitem a fabricação eficiente e confiável de dispositivos e inovações revolucionárias em todos os setores.
Diagrama Detalhado
