Tipo SiC da espessura HPSI da carcaça 3inch 350um classe principal do manequim da categoria

Tipo SiC categoria da espessura HPSI da carcaça 3inch 350um do manequim da categoria principal Imagem em destaque

Breve descrição:

Os wafers de carboneto de silício (SiC) de alta pureza de 3 polegadas são projetados especificamente para aplicações exigentes em eletrônica de potência, optoeletrônica e pesquisa avançada. Disponíveis nos graus de produção, pesquisa e fictício, esses wafers oferecem resistividade excepcional, baixa densidade de defeitos e qualidade de superfície superior. Com propriedades semi-isolantes não dopadas, eles fornecem a plataforma ideal para a fabricação de dispositivos de alto desempenho que operam sob condições térmicas e elétricas extremas.

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Detalhes do produto

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Propriedades

Parâmetro	Grau de produção	Grau de pesquisa	Nota fictícia	Unidade
Nota	Grau de produção	Grau de pesquisa	Nota fictícia
Diâmetro	76,2±0,5	76,2±0,5	76,2±0,5	mm
Grossura	500±25	500±25	500±25	µm
Orientação de wafer	No eixo: <0001> ± 0,5°	No eixo: <0001> ± 2,0°	No eixo: <0001> ± 2,0°	grau
Densidade de microtubos (MPD)	≤ 1	≤ 5	≤ 10	cm−2^-2−2
Resistividade Elétrica	≥ 1E10	≥ 1E5	≥ 1E5	Ω·cm
Dopante	Não dopado	Não dopado	Não dopado
Orientação Plana Primária	{1-100} ± 5,0°	{1-100} ± 5,0°	{1-100} ± 5,0°	grau
Comprimento plano primário	32,5±3,0	32,5±3,0	32,5±3,0	mm
Comprimento plano secundário	18,0±2,0	18,0±2,0	18,0±2,0	mm
Orientação Plana Secundária	90° CW do plano primário ± 5,0°	90° CW do plano primário ± 5,0°	90° CW do plano primário ± 5,0°	grau
Exclusão de borda	3	3	3	mm
LTV/TTV/Arco/Urdidura	3/10/±30/40	3/10/±30/40	5/15/±40/45	µm
Rugosidade Superficial	Face Si: CMP, Face C: Polida	Face Si: CMP, Face C: Polida	Face Si: CMP, Face C: Polida
Rachaduras (luz de alta intensidade)	Nenhum	Nenhum	Nenhum
Placas hexagonais (luz de alta intensidade)	Nenhum	Nenhum	Área acumulada 10%	%
Áreas politípicas (luz de alta intensidade)	Área acumulada 5%	Área acumulada 20%	Área acumulada 30%	%
Arranhões (luz de alta intensidade)	≤ 5 arranhões, comprimento cumulativo ≤ 150	≤ 10 arranhões, comprimento cumulativo ≤ 200	≤ 10 arranhões, comprimento cumulativo ≤ 200	mm
Lascas de borda	Nenhum ≥ 0,5 mm de largura/profundidade	2 permitido ≤ 1 mm de largura/profundidade	5 permitido ≤ 5 mm de largura/profundidade	mm
Contaminação de Superfície	Nenhum	Nenhum	Nenhum

Aplicativos

1. Eletrônica de alta potência
A condutividade térmica superior e o amplo bandgap dos wafers de SiC os tornam ideais para dispositivos de alta potência e alta frequência:
●MOSFETs e IGBTs para conversão de energia.
●Sistemas avançados de energia para veículos elétricos, incluindo inversores e carregadores.
●Infra-estruturas de redes inteligentes e sistemas de energias renováveis.
2. Sistemas de RF e Microondas
Os substratos de SiC permitem aplicações de RF e micro-ondas de alta frequência com perda mínima de sinal:
●Telecomunicações e sistemas de satélite.
●Sistemas de radar aeroespacial.
●Componentes de rede 5G avançados.
3. Optoeletrônica e Sensores
As propriedades exclusivas do SiC suportam uma variedade de aplicações optoeletrônicas:
●Detetores UV para monitoramento ambiental e sensoriamento industrial.
●Substratos de LED e laser para iluminação de estado sólido e instrumentos de precisão.
●Sensores de alta temperatura para indústrias aeroespaciais e automotivas.
4. Pesquisa e Desenvolvimento
A diversidade de classes (Produção, Pesquisa, Dummy) permite experimentação de ponta e prototipagem de dispositivos na academia e na indústria.

Vantagens

●Confiabilidade:Excelente resistividade e estabilidade em todas as classes.
●Personalização:Orientações e espessuras personalizadas para atender às diferentes necessidades.
●Alta Pureza:A composição não dopada garante variações mínimas relacionadas às impurezas.
●Escalabilidade:Atende aos requisitos de produção em massa e pesquisa experimental.
Os wafers SiC de alta pureza de 3 polegadas são sua porta de entrada para dispositivos de alto desempenho e avanços tecnológicos inovadores. Para consultas e especificações detalhadas, entre em contato conosco hoje.

Resumo

Os wafers de carboneto de silício (SiC) de alta pureza de 3 polegadas, disponíveis em produção, pesquisa e graus fictícios, são substratos premium projetados para eletrônica de alta potência, sistemas de RF/microondas, optoeletrônica e pesquisa e desenvolvimento avançados. Esses wafers apresentam propriedades semi-isolantes não dopadas com excelente resistividade (≥1E10 Ω·cm para grau de produção), baixa densidade de microtubos (≤1 cm−2^-2−2) e qualidade de superfície excepcional. Eles são otimizados para aplicações de alto desempenho, incluindo conversão de energia, telecomunicações, detecção de UV e tecnologias LED. Com orientações personalizáveis, condutividade térmica superior e propriedades mecânicas robustas, esses wafers de SiC permitem a fabricação de dispositivos eficientes e confiáveis e inovações revolucionárias em todos os setores.