Substrato de SiC de 3 polegadas com 350 µm de espessura, tipo HPSI, grau Prime, grau Dummy.
Propriedades
| Parâmetro | Grau de produção | Grau de pesquisa | Nota fictícia | Unidade |
| Nota | Grau de produção | Grau de pesquisa | Nota fictícia | |
| Diâmetro | 76,2 ± 0,5 | 76,2 ± 0,5 | 76,2 ± 0,5 | mm |
| Grossura | 500 ± 25 | 500 ± 25 | 500 ± 25 | µm |
| Orientação do wafer | No eixo: <0001> ± 0,5° | No eixo: <0001> ± 2,0° | No eixo: <0001> ± 2,0° | grau |
| Densidade de Microtubos (MPD) | ≤ 1 | ≤ 5 | ≤ 10 | cm−2^-2−2 |
| Resistividade elétrica | ≥ 1E10 | ≥ 1E5 | ≥ 1E5 | Ω·cm |
| Dopante | Sem dopagem | Sem dopagem | Sem dopagem | |
| Orientação plana primária | {1-100} ± 5,0° | {1-100} ± 5,0° | {1-100} ± 5,0° | grau |
| Comprimento plano primário | 32,5 ± 3,0 | 32,5 ± 3,0 | 32,5 ± 3,0 | mm |
| Comprimento plano secundário | 18,0 ± 2,0 | 18,0 ± 2,0 | 18,0 ± 2,0 | mm |
| Orientação plana secundária | 90° no sentido horário a partir da superfície plana primária ± 5,0° | 90° no sentido horário a partir da superfície plana primária ± 5,0° | 90° no sentido horário a partir da superfície plana primária ± 5,0° | grau |
| Exclusão de borda | 3 | 3 | 3 | mm |
| LTV/TTV/Arco/Distorção | 3 / 10 / ±30 / 40 | 3 / 10 / ±30 / 40 | 5 / 15 / ±40 / 45 | µm |
| Rugosidade da superfície | Face Si: CMP, Face C: Polida | Face Si: CMP, Face C: Polida | Face Si: CMP, Face C: Polida | |
| Rachaduras (Luz de Alta Intensidade) | Nenhum | Nenhum | Nenhum | |
| Placas hexagonais (luz de alta intensidade) | Nenhum | Nenhum | Área cumulativa 10% | % |
| Áreas de politipagem (luz de alta intensidade) | Área cumulativa 5% | Área cumulativa 20% | Área cumulativa 30% | % |
| Arranhões (luz de alta intensidade) | ≤ 5 arranhões, comprimento cumulativo ≤ 150 | ≤ 10 arranhões, comprimento cumulativo ≤ 200 | ≤ 10 arranhões, comprimento cumulativo ≤ 200 | mm |
| lascamento de borda | Nenhuma ≥ 0,5 mm de largura/profundidade | 2 permitido ≤ 1 mm de largura/profundidade | 5 permitido ≤ 5 mm de largura/profundidade | mm |
| Contaminação de superfície | Nenhum | Nenhum | Nenhum |
Aplicações
1. Eletrônica de Alta Potência
A condutividade térmica superior e a ampla banda proibida dos wafers de SiC os tornam ideais para dispositivos de alta potência e alta frequência:
●MOSFETs e IGBTs para conversão de energia.
●Sistemas avançados de energia para veículos elétricos, incluindo inversores e carregadores.
●Infraestrutura de redes inteligentes e sistemas de energia renovável.
2. Sistemas de RF e Micro-ondas
Os substratos de SiC permitem aplicações de radiofrequência (RF) e micro-ondas de alta frequência com perda mínima de sinal:
●Sistemas de telecomunicações e satélite.
●Sistemas de radar aeroespacial.
● Componentes avançados de rede 5G.
3. Optoeletrônica e Sensores
As propriedades únicas do SiC permitem uma variedade de aplicações optoeletrônicas:
● Detectores UV para monitoramento ambiental e sensoriamento industrial.
●Substratos de LED e laser para iluminação de estado sólido e instrumentos de precisão.
●Sensores de alta temperatura para as indústrias aeroespacial e automotiva.
4. Pesquisa e Desenvolvimento
A diversidade de níveis de qualidade (Produção, Pesquisa, Protótipo) possibilita experimentação de ponta e prototipagem de dispositivos na academia e na indústria.
Vantagens
●Confiabilidade:Excelente resistividade e estabilidade em todas as classes de granulometria.
●Personalização:Orientações e espessuras personalizadas para atender a diferentes necessidades.
●Alta Pureza:A composição sem dopagem garante variações mínimas relacionadas a impurezas.
●Escalabilidade:Atende aos requisitos tanto da produção em massa quanto da pesquisa experimental.
Os wafers de SiC de alta pureza de 3 polegadas são a sua porta de entrada para dispositivos de alto desempenho e avanços tecnológicos inovadores. Para dúvidas e especificações detalhadas, entre em contato conosco hoje mesmo.
Resumo
As pastilhas de carbeto de silício (SiC) de alta pureza de 3 polegadas, disponíveis nos graus de produção, pesquisa e teste, são substratos premium projetados para eletrônica de alta potência, sistemas de RF/micro-ondas, optoeletrônica e P&D avançada. Essas pastilhas apresentam propriedades semi-isolantes não dopadas com excelente resistividade (≥1E10 Ω·cm para o grau de produção), baixa densidade de microporos (≤1 cm−2^-2−2) e qualidade de superfície excepcional. Elas são otimizadas para aplicações de alto desempenho, incluindo conversão de energia, telecomunicações, sensores UV e tecnologias de LED. Com orientações personalizáveis, condutividade térmica superior e propriedades mecânicas robustas, essas pastilhas de SiC permitem a fabricação eficiente e confiável de dispositivos e inovações revolucionárias em diversos setores.
Diagrama detalhado
