Sistema de orientação de wafers para medição da orientação de cristais
Introdução ao equipamento
Os instrumentos de orientação de wafers são dispositivos de precisão baseados nos princípios da difração de raios X (DRX), utilizados principalmente na fabricação de semicondutores, materiais ópticos, cerâmica e outras indústrias de materiais cristalinos.
Esses instrumentos determinam a orientação da rede cristalina e orientam processos precisos de corte ou polimento. As principais características incluem:
- Medições de alta precisão:Capaz de resolver planos cristalográficos com resoluções angulares de até 0,001°.
- Compatibilidade com amostras grandes:Suporta wafers de até 450 mm de diâmetro e peso de 30 kg, sendo adequado para materiais como carbeto de silício (SiC), safira e silício (Si).
- Design modular:As funcionalidades expansíveis incluem análise de curva de oscilação, mapeamento de defeitos de superfície em 3D e dispositivos de empilhamento para processamento de múltiplas amostras.
Parâmetros técnicos principais
| Categoria do parâmetro | Valores/Configuração típicos |
| Fonte de raios X | Cu-Kα (ponto focal de 0,4×1 mm), tensão de aceleração de 30 kV, corrente do tubo ajustável de 0 a 5 mA |
| Faixa angular | θ: -10° a +50°; 2θ: -10° a +100° |
| Precisão | Resolução do ângulo de inclinação: 0,001°, detecção de defeitos na superfície: ±30 segundos de arco (curva de oscilação) |
| Velocidade de digitalização | A varredura ômega completa a orientação da rede cristalina em 5 segundos; a varredura teta leva cerca de 1 minuto. |
| Etapa de Amostragem | Sulco em V, sucção pneumática, rotação multiangular, compatível com wafers de 2 a 8 polegadas. |
| Funções expansíveis | Análise da curva de oscilação, mapeamento 3D, dispositivo de empilhamento, detecção óptica de defeitos (arranhões, contornos de grão) |
Princípio de funcionamento
1. Fundação de Difração de Raios X
- Os raios X interagem com os núcleos atômicos e os elétrons na rede cristalina, gerando padrões de difração. A Lei de Bragg (nλ = 2d senθ) rege a relação entre os ângulos de difração (θ) e o espaçamento da rede (d).
Os detectores capturam esses padrões, que são analisados para reconstruir a estrutura cristalográfica.
2. Tecnologia de escaneamento Omega
- O cristal gira continuamente em torno de um eixo fixo enquanto é iluminado por raios X.
- Os detectores coletam sinais de difração em múltiplos planos cristalográficos, permitindo a determinação completa da orientação da rede em 5 segundos.
3. Análise da Curva de Oscilação
- Ângulo cristalino fixo com ângulos de incidência de raios X variáveis para medir a largura do pico (FWHM), avaliando defeitos na rede cristalina e deformação.
4. Controle automatizado
- Interfaces PLC e de tela sensível ao toque permitem ângulos de corte predefinidos, feedback em tempo real e integração com máquinas de corte para controle em circuito fechado.
Vantagens e características
1. Precisão e Eficiência
- Precisão angular de ±0,001°, resolução de detecção de defeitos <30 segundos de arco.
- A velocidade de varredura Omega é 200 vezes mais rápida do que as varreduras Theta tradicionais.
2. Modularidade e Escalabilidade
- Expansível para aplicações especializadas (ex.: wafers de SiC, pás de turbina).
- Integra-se com sistemas MES para monitoramento da produção em tempo real.
3. Compatibilidade e Estabilidade
- Acomoda amostras com formato irregular (por exemplo, lingotes de safira trincados).
- O design com refrigeração a ar reduz as necessidades de manutenção.
4. Operação Inteligente
- Calibração com um clique e processamento multitarefa.
- Calibração automática com cristais de referência para minimizar erros humanos.
Aplicações
1. Fabricação de semicondutores
- Orientação de corte do wafer: Determina as orientações dos wafers de Si, SiC e GaN para otimizar a eficiência de corte.
- Mapeamento de defeitos: Identifica arranhões ou deslocamentos na superfície para melhorar o rendimento do chip.
2. Materiais Ópticos
- Cristais não lineares (ex.: LBO, BBO) para dispositivos a laser.
- Marcação da superfície de referência de wafers de safira para substratos de LED.
3. Cerâmicas e Compósitos
- Analisa a orientação dos grãos em Si3N4 e ZrO2 para aplicações em altas temperaturas.
4. Pesquisa e Controle de Qualidade
- Universidades/laboratórios para o desenvolvimento de novos materiais (ex.: ligas de alta entropia).
- Controle de qualidade industrial para garantir a consistência dos lotes.
Serviços da XKH
A XKH oferece suporte técnico completo ao longo do ciclo de vida de instrumentos de orientação de wafers, incluindo instalação, otimização de parâmetros de processo, análise de curvas de oscilação e mapeamento de defeitos de superfície em 3D. Soluções personalizadas (como a tecnologia de empilhamento de lingotes) são fornecidas para aumentar a eficiência da produção de materiais semicondutores e ópticos em mais de 30%. Uma equipe dedicada realiza treinamentos no local, enquanto o suporte remoto 24 horas por dia, 7 dias por semana, e a rápida substituição de peças de reposição garantem a confiabilidade dos equipamentos.












