Wafer epitaxial de nitreto de gálio de 100 mm e 4 polegadas de GaN em camada epi de safira

(1) Cozimento em alta temperatura, o substrato de safira é primeiro aquecido a 1050 ℃ em uma atmosfera de hidrogênio, o objetivo é limpar a superfície do substrato;

(2) Quando a temperatura do substrato cai para 510 ℃, uma camada tampão GaN/AlN de baixa temperatura com uma espessura de 30 nm é depositada na superfície do substrato de safira;

(3) Aumento da temperatura para 10 ℃, o gás de reação amônia, trimetilgálio e silano são injetados, controlando respectivamente a taxa de fluxo correspondente, e o GaN tipo N dopado com silício de 4um de espessura é cultivado;

(4) O gás de reação de trimetil alumínio e trimetil gálio foi usado para preparar continentes A⒑ do tipo N dopados com silício com uma espessura de 0,15 µm;

(5) InGaN dopado com Zn de 50 nm foi preparado pela injeção de trimetilgálio, trimetilíndio, dietilzinco e amônia a uma temperatura de 800℃ e controlando diferentes taxas de fluxo, respectivamente;

(6) A temperatura foi aumentada para 1020℃, trimetilalumínio, trimetilgálio e bis (ciclopentadienil) magnésio foram injetados para preparar 0,15um Mg dopado com AlGaN tipo P e 0,5um Mg dopado com glicose sanguínea G tipo P;

(7) O filme GaN Sibuyan tipo P de alta qualidade foi obtido por recozimento em atmosfera de nitrogênio a 700 ℃;

(8) Gravação na superfície de estase G do tipo P para revelar a superfície de estase G do tipo N;

(9) Evaporação de placas de contato Ni/Au na superfície p-GaNI, evaporação de placas de contato △/Al na superfície ll-GaN para formar eletrodos.