Wafer epitaxial de nitreto de gálio de 150 mm, 200 mm, 6 polegadas e 8 polegadas de GaN sobre silício
Método de fabricação
O processo de fabricação envolve o crescimento de camadas de GaN em um substrato de safira usando técnicas avançadas, como deposição química de vapor metal-orgânico (MOCVD) ou epitaxia por feixe molecular (MBE). O processo de deposição é realizado sob condições controladas para garantir alta qualidade cristalina e filme uniforme.
Aplicações de GaN sobre safira de 6 polegadas: chips de substrato de safira de 6 polegadas são amplamente utilizados em comunicações de micro-ondas, sistemas de radar, tecnologia sem fio e optoeletrônica.
Algumas aplicações comuns incluem
1. Amplificador de potência de RF
2. Indústria de iluminação LED
3. Equipamentos de comunicação de rede sem fio
4. Dispositivos eletrônicos em ambiente de alta temperatura
5. Dispositivos optoeletrônicos
Especificações do produto
- Tamanho: O diâmetro do substrato é de 6 polegadas (cerca de 150 mm).
- Qualidade da superfície: A superfície foi finamente polida para proporcionar excelente qualidade de espelho.
- Espessura: A espessura da camada de GaN pode ser personalizada de acordo com requisitos específicos.
- Embalagem: O substrato é cuidadosamente embalado com materiais antiestáticos para evitar danos durante o transporte.
- Bordas de posicionamento: O substrato possui bordas de posicionamento específicas que facilitam o alinhamento e a operação durante a preparação do dispositivo.
- Outros parâmetros: Parâmetros específicos como finura, resistividade e concentração de dopagem podem ser ajustados de acordo com as necessidades do cliente.
Com suas propriedades materiais superiores e diversas aplicações, os wafers de substrato de safira de 6 polegadas são uma escolha confiável para o desenvolvimento de dispositivos semicondutores de alto desempenho em vários setores.
| Substrato | 6” 1mm <111> tipo p Si | 6” 1mm <111> tipo p Si |
| Epi ThickAvg | ~5um | ~7um |
| Epi ThickUnif | <2% | <2% |
| Arco | +/-45um | +/-45um |
| Rachaduras | <5 mm | <5 mm |
| BV vertical | >1000V | >1400V |
| HEMT Al% | 25-35% | 25-35% |
| HEMT Espessura Média | 20-30 nm | 20-30 nm |
| Tampa SiN Insitu | 5-60 nm | 5-60 nm |
| Concentração 2DEG. | ~1013cm-2 | ~1013cm-2 |
| Mobilidade | ~2000 cm2/Vs (<2%) | ~2000 cm2/Vs (<2%) |
| Rsh | <330 ohm/sq (<2%) | <330 ohm/sq (<2%) |
Diagrama Detalhado
