Wafer de GaN de 50,8 mm (2 polegadas) sobre camada epitaxial de safira

Imagem em destaque: Wafer de GaN sobre camada epitaxial de safira de 50,8 mm (2 polegadas)

Descrição resumida:

Como material semicondutor de terceira geração, o nitreto de gálio apresenta vantagens como alta resistência à temperatura, alta compatibilidade, alta condutividade térmica e ampla banda proibida. De acordo com os diferentes materiais de substrato, as folhas epitaxiais de nitreto de gálio podem ser divididas em quatro categorias: nitreto de gálio sobre nitreto de gálio, nitreto de gálio sobre carbeto de silício, nitreto de gálio sobre safira e nitreto de gálio sobre silício. A folha epitaxial de nitreto de gálio sobre silício é o produto mais utilizado, com baixo custo de produção e tecnologia de produção consolidada.

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Características

Aplicação de lâmina epitaxial de nitreto de gálio (GaN)

Devido ao desempenho do nitreto de gálio, os chips epitaxiais de nitreto de gálio são principalmente adequados para aplicações de alta potência, alta frequência e baixa tensão.

Isso se reflete em:

1) Alto bandgap: O alto bandgap melhora o nível de tensão dos dispositivos de nitreto de gálio e pode fornecer maior potência do que os dispositivos de arseneto de gálio, sendo especialmente adequado para estações base de comunicação 5G, radares militares e outros campos;

2) Alta eficiência de conversão: a resistência de condução dos dispositivos eletrônicos de potência de comutação de nitreto de gálio é 3 ordens de magnitude menor do que a dos dispositivos de silício, o que pode reduzir significativamente a perda de comutação;

3) Alta condutividade térmica: a alta condutividade térmica do nitreto de gálio proporciona um excelente desempenho de dissipação de calor, sendo adequado para a produção de dispositivos de alta potência, alta temperatura e outras aplicações;

4) Intensidade do campo elétrico de ruptura: Embora a intensidade do campo elétrico de ruptura do nitreto de gálio seja próxima à do nitreto de silício, devido ao processo semicondutor, à incompatibilidade da rede cristalina do material e a outros fatores, a tolerância à tensão dos dispositivos de nitreto de gálio geralmente é de cerca de 1000V, e a tensão de uso segura geralmente é inferior a 650V.

Item	GaN-TCU-C50	GaN-TCN-C50	GaN-TCP-C50
Dimensões	e 50,8 mm ± 0,1 mm
Grossura	4,5±0,5 µm		4,5±0,5µm
Orientação	Plano C(0001) ±0,5°
Tipo de condução	Tipo N (Não dopado)	Tipo N (dopado com Si)	Tipo P (dopado com Mg)
Resistividade (300K)	< 0,5 Q・cm	< 0,05 Q・cm	~ 10 Q・cm
Concentração do transportador	< 5x10¹⁷cm^-3	> 1x10¹⁸cm^-3	> 6x1016 cm^-3
Mobilidade	~ 300 cm²/Vs	~ 200 cm²/Vs	~ 10 cm²/Vs
Densidade de deslocamento	Menos de 5x10⁸cm^-2(calculado a partir da largura a meia altura (FWHM) da difração de raios X)
Estrutura do substrato	GaN sobre Safira (Padrão: SSP Opção: DSP)
Área de superfície útil	> 90%
Pacote	Embalados em ambiente de sala limpa classe 100, em cassetes de 25 unidades ou em recipientes individuais para wafers, sob atmosfera de nitrogênio.