50,8 mm 2 polegadas GaN em wafer de safira Epi-layer

Imagem em destaque de 50,8 mm de GaN de 2 polegadas em wafer de safira Epi-layer

Descrição curta:

Como material semicondutor de terceira geração, o nitreto de gálio apresenta as vantagens de alta resistência à temperatura, alta compatibilidade, alta condutividade térmica e ampla banda proibida. De acordo com os diferentes materiais de substrato, as folhas epitaxiais de nitreto de gálio podem ser divididas em quatro categorias: nitreto de gálio à base de nitreto de gálio, nitreto de gálio à base de carboneto de silício, nitreto de gálio à base de safira e nitreto de gálio à base de silício. A folha epitaxial de nitreto de gálio à base de silício é o produto mais amplamente utilizado, com baixo custo de produção e tecnologia de produção avançada.

Envie um e-mail para nós

Detalhes do produto

Etiquetas de produtos

Aplicação de folha epitaxial de nitreto de gálio GaN

Com base no desempenho do nitreto de gálio, os chips epitaxiais de nitreto de gálio são adequados principalmente para aplicações de alta potência, alta frequência e baixa tensão.

Isso se reflete em:

1) Alta largura de banda: A alta largura de banda melhora o nível de tensão dos dispositivos de nitreto de gálio e pode gerar maior potência do que os dispositivos de arsenieto de gálio, o que é especialmente adequado para estações base de comunicação 5G, radares militares e outros campos;

2) Alta eficiência de conversão: a resistência de ativação dos dispositivos eletrônicos de potência de comutação de nitreto de gálio é 3 ordens de magnitude menor do que a dos dispositivos de silício, o que pode reduzir significativamente a perda de ativação;

3) Alta condutividade térmica: a alta condutividade térmica do nitreto de gálio faz com que ele tenha excelente desempenho de dissipação de calor, adequado para a produção de dispositivos de alta potência, alta temperatura e outros campos;

4) Intensidade do campo elétrico de ruptura: embora a intensidade do campo elétrico de ruptura do nitreto de gálio seja próxima à do nitreto de silício, devido ao processo semicondutor, incompatibilidade de estrutura do material e outros fatores, a tolerância de tensão dos dispositivos de nitreto de gálio é geralmente de cerca de 1000 V, e a tensão de uso seguro é geralmente abaixo de 650 V.

Item	GaN-TCU-C50	GaN-TCN-C50	GaN-TCP-C50
Dimensões	e 50,8 mm ± 0,1 mm
Grossura	4,5±0,5 um		4,5±0,5um
Orientação	Plano C(0001) ±0,5°
Tipo de condução	Tipo N (não dopado)	Tipo N (dopado com Si)	Tipo P (dopado com Mg)
Resistividade(300K)	< 0,5 Q・cm	< 0,05 Q・cm	~ 10 Q・cm
Concentração de Portadores	< 5x10¹⁷cm^-3	> 1x10¹⁸cm^-3	> 6x1016 cm^-3
Mobilidade	~ 300 cm²/Vs	~ 200 cm²/Vs	~ 10 cm²/Vs
Densidade de deslocamento	Menos de 5x10⁸cm^-2(calculado por FWHMs de XRD)
Estrutura do substrato	GaN em Sapphire (Padrão: SSP Opção: DSP)
Área de superfície utilizável	> 90%
Pacote	Embalado em ambiente de sala limpa classe 100, em cassetes de 25 unidades ou recipientes de wafer individuais, sob atmosfera de nitrogênio.