GaN de 50,8 mm e 2 polegadas em wafer de camada Epi de safira

Breve descrição:

Como material semicondutor de terceira geração, o nitreto de gálio tem as vantagens de resistência a altas temperaturas, alta compatibilidade, alta condutividade térmica e amplo intervalo de banda. De acordo com os diferentes materiais de substrato, as folhas epitaxiais de nitreto de gálio podem ser divididas em quatro categorias: nitreto de gálio à base de nitreto de gálio, nitreto de gálio à base de carboneto de silício, nitreto de gálio à base de safira e nitreto de gálio à base de silício. A folha epitaxial de nitreto de gálio à base de silício é o produto mais amplamente utilizado, com baixo custo de produção e tecnologia de produção madura.

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Aplicação de folha epitaxial de nitreto de gálio GaN

Com base no desempenho do nitreto de gálio, os chips epitaxiais de nitreto de gálio são principalmente adequados para aplicações de alta potência, alta frequência e baixa tensão.

Isso se reflete em:

1) Alto bandgap: O alto bandgap melhora o nível de tensão dos dispositivos de nitreto de gálio e pode produzir maior potência do que os dispositivos de arsenieto de gálio, o que é especialmente adequado para estações base de comunicação 5G, radar militar e outros campos;

2) Alta eficiência de conversão: a resistência dos dispositivos eletrônicos de potência de comutação de nitreto de gálio é 3 ordens de grandeza menor que a dos dispositivos de silício, o que pode reduzir significativamente a perda de comutação;

3) Alta condutividade térmica: a alta condutividade térmica do nitreto de gálio faz com que ele tenha excelente desempenho de dissipação de calor, adequado para a produção de dispositivos de alta potência, alta temperatura e outros campos;

4) Intensidade do campo elétrico de ruptura: Embora a intensidade do campo elétrico de ruptura do nitreto de gálio seja próxima à do nitreto de silício, devido ao processo semicondutor, incompatibilidade da rede do material e outros fatores, a tolerância de tensão dos dispositivos de nitreto de gálio é geralmente de cerca de 1000V, e o a tensão de uso seguro geralmente é inferior a 650V.

Item	GaN-TCU-C50	GaN-TCN-C50	GaN-TCP-C50
Dimensões	e 50,8 mm ± 0,1 mm
Grossura	4,5±0,5um		4,5±0,5um
Orientação	Plano C (0001) ±0,5°
Tipo de condução	Tipo N (não dopado)	Tipo N (dopado com Si)	Tipo P (dopado com Mg)
Resistividade (3O0K)	< 0,5 Q・cm	< 0,05 Q・cm	~ 10 Q・cm
Concentração de Transportadora	<5x10¹⁷cm^-3	> 1x10¹⁸cm^-3	> 6x1016 cm^-3
Mobilidade	~ 300 centímetros²/Vs	~ 200 centímetros²/Vs	~ 10cm²/Vs
Densidade de Luxação	Menos de 5x10⁸cm^-2(calculado por FWHMs de XRD)
Estrutura do substrato	GaN em Sapphire (Padrão: Opção SSP: DSP)
Área de superfície utilizável	> 90%
Pacote	Embalado em ambiente de sala limpa classe 100, em cassetes de 25 unidades ou recipientes de wafer único, sob atmosfera de nitrogênio.