200 mm 8 polegadas GaN em substrato de wafer Epi-layer de safira
Introdução do produto
O substrato GaN sobre safira de 8 polegadas é um material semicondutor de alta qualidade composto por uma camada de nitreto de gálio (GaN) cultivada sobre um substrato de safira. Este material oferece excelentes propriedades de transporte eletrônico e é ideal para a fabricação de dispositivos semicondutores de alta potência e alta frequência.
Método de fabricação
O processo de fabricação envolve o crescimento epitaxial de uma camada de GaN sobre um substrato de safira, utilizando técnicas avançadas como deposição química de vapor metal-orgânico (MOCVD) ou epitaxia por feixe molecular (MBE). A deposição é realizada sob condições controladas para garantir alta qualidade cristalina e uniformidade do filme.
Aplicações
O substrato GaN sobre safira de 8 polegadas encontra amplas aplicações em diversos campos, incluindo comunicações por micro-ondas, sistemas de radar, tecnologia sem fio e optoeletrônica. Algumas das aplicações comuns incluem:
1. Amplificadores de potência de RF
2. Indústria de iluminação LED
3. Dispositivos de comunicação de rede sem fio
4. Dispositivos eletrônicos para ambientes de alta temperatura
5. Odispositivos ptoeletrônicos
Especificações do produto
-Dimensão: O tamanho do substrato é 8 polegadas (200 mm) de diâmetro.
- Qualidade da superfície: A superfície é polida com alto grau de suavidade e exibe excelente qualidade de espelho.
- Espessura: A espessura da camada de GaN pode ser personalizada com base em requisitos específicos.
- Embalagem: O substrato é cuidadosamente embalado em materiais antiestáticos para evitar danos durante o transporte.
- Orientação plana: o substrato tem uma orientação plana específica para auxiliar no alinhamento e manuseio do wafer durante os processos de fabricação do dispositivo.
- Outros parâmetros: As especificações de espessura, resistividade e concentração de dopante podem ser adaptadas conforme as necessidades do cliente.
Com suas propriedades materiais superiores e aplicações versáteis, o substrato GaN sobre safira de 8 polegadas é uma escolha confiável para o desenvolvimento de dispositivos semicondutores de alto desempenho em vários setores.
Além do GaN-sobre-Safira, também oferecemos soluções para aplicações em dispositivos de energia. A família de produtos inclui wafers epitaxiais de AlGaN/GaN-sobre-Si de 8 polegadas e wafers epitaxiais de AlGaN/GaN-sobre-Si P-cap de 8 polegadas. Ao mesmo tempo, inovamos na aplicação de nossa própria tecnologia avançada de epitaxia de GaN de 8 polegadas no campo de micro-ondas e desenvolvemos um wafer epitaxial de AlGaN/GAN-sobre-Si HR de 8 polegadas que combina alto desempenho com tamanho grande, baixo custo e compatibilidade com o processamento padrão de dispositivos de 8 polegadas. Além do nitreto de gálio à base de silício, também possuímos uma linha de produtos de wafers epitaxiais de AlGaN/GaN-sobre-SiC para atender às necessidades dos clientes por materiais epitaxiais de nitreto de gálio à base de silício.
Diagrama Detalhado
