Substrato de wafer GaN de 200 mm (8 polegadas) sobre camada epitaxial de safira
Apresentação do produto
O substrato de GaN sobre safira de 8 polegadas é um material semicondutor de alta qualidade composto por uma camada de nitreto de gálio (GaN) depositada sobre um substrato de safira. Este material oferece excelentes propriedades de transporte eletrônico e é ideal para a fabricação de dispositivos semicondutores de alta potência e alta frequência.
Método de fabricação
O processo de fabricação envolve o crescimento epitaxial de uma camada de GaN sobre um substrato de safira utilizando técnicas avançadas como a deposição química de vapor metalorgânica (MOCVD) ou a epitaxia por feixe molecular (MBE). A deposição é realizada sob condições controladas para garantir alta qualidade cristalina e uniformidade do filme.
Aplicações
O substrato de GaN sobre safira de 8 polegadas encontra ampla aplicação em diversos campos, incluindo comunicações por micro-ondas, sistemas de radar, tecnologia sem fio e optoeletrônica. Algumas das aplicações comuns incluem:
1. Amplificadores de potência de RF
2. Indústria de iluminação LED
3. Dispositivos de comunicação de rede sem fio
4. Dispositivos eletrônicos para ambientes de alta temperatura
5. Odispositivos ptoeletrônicos
Especificações do produto
-Dimensão: O substrato tem 8 polegadas (200 mm) de diâmetro.
- Qualidade da superfície: A superfície é polida com um alto grau de suavidade e apresenta excelente qualidade espelhada.
- Espessura: A espessura da camada de GaN pode ser personalizada de acordo com requisitos específicos.
- Embalagem: O substrato é cuidadosamente embalado em materiais antiestáticos para evitar danos durante o transporte.
- Superfície plana de orientação: O substrato possui uma superfície plana de orientação específica para auxiliar no alinhamento e manuseio do wafer durante os processos de fabricação do dispositivo.
- Outros parâmetros: As especificações de espessura, resistividade e concentração de dopantes podem ser ajustadas de acordo com as necessidades do cliente.
Graças às suas propriedades de material superiores e aplicações versáteis, o substrato de GaN sobre safira de 8 polegadas é uma escolha confiável para o desenvolvimento de dispositivos semicondutores de alto desempenho em diversos setores.
Além de GaN-on-Safira, também oferecemos, na área de aplicações de dispositivos de potência, uma família de produtos que inclui wafers epitaxiais de AlGaN/GaN-on-Si de 8 polegadas e wafers epitaxiais de AlGaN/GaN-on-Si com encapsulamento P de 8 polegadas. Simultaneamente, inovamos na aplicação de nossa avançada tecnologia de epitaxia de GaN de 8 polegadas no campo de micro-ondas, desenvolvendo um wafer epitaxial de AlGaN/GaN-on-HR Si de 8 polegadas que combina alto desempenho com grande tamanho, baixo custo e compatibilidade com o processamento de dispositivos padrão de 8 polegadas. Além do nitreto de gálio baseado em silício, também possuímos uma linha de wafers epitaxiais de AlGaN/GaN-on-SiC para atender às necessidades dos clientes por materiais epitaxiais de nitreto de gálio baseados em silício.
Diagrama detalhado
